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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Tb12InGaSi4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3315898 · 空间群: Immm (#71)

基础信息

化学式
Tb12InGaSi4
MP-ID
mp-3315898
元素数
4
位点数
18
密度
7.7539
g/cm³
体积
472.00
ų
晶胞参数 a
8.5076
Å
晶胞参数 b
8.5076
Å
晶胞参数 c
8.5076
Å
α 角
112.26
°
β 角
111.05
°
γ 角
105.19
°
空间群
Immm
点群
mmm
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oI
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
13.10 6.7574 1.2 (1,-1,0)
17.16 5.1677 1.2 (1,1,-1)
18.71 4.7414 2.1 (1,-1,-1)
25.50 3.4937 11.7 (0,2,0)
25.50 3.4937 11.7 (2,0,-2)
26.38 3.3787 7.9 (2,-2,0)
27.50 3.2439 23.4 (1,2,-2)
27.55 3.2381 3.8 (1,2,-1)
27.55 3.2381 3.8 (2,1,-2)
29.13 3.0660 32.5 (1,-2,2)
29.37 3.0410 8.3 (2,-2,1)
29.75 3.0034 30.3 (2,-2,-1)
31.64 2.8279 33.3 (1,-3,1)
31.64 2.8279 100.0 (3,-1,-1)
33.47 2.6773 51.0 (0,3,-1)
34.21 2.6209 46.9 (1,-3,2)
34.54 2.5967 2.8 (0,2,1)
34.72 2.5839 21.5 (2,2,-2)
34.85 2.5746 33.3 (2,-3,1)
35.05 2.5602 9.4 (2,-3,0)
35.05 2.5602 3.1 (1,0,-3)
37.26 2.4134 3.3 (1,3,-2)
37.26 2.4134 3.3 (3,1,-2)
37.35 2.4079 8.3 (2,-2,2)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.63379
eV/atom
能量/原子
-25.29121
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-25.2912
eV/atom
体积/原子
26.22
ų
c/a 比
1.0000

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0023
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tb · 0.667
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.333
间隙分数
0.222
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9257
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
7.6963
J/mol·K
Ω 参数
11.5187
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
15.337%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3618
越小混合越稳定
VEC
7.222
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-1.003
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.6678
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3315898
参考引用

The crystal structure and related material properties of Tb12InGaSi4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3315898, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Tb12InGaSi4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.50756158
_cell_length_b   8.50756224
_cell_length_c   8.50756110
_cell_angle_alpha   112.25860784
_cell_angle_beta   111.04771717
_cell_angle_gamma   105.19274846
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Tb12InGaSi4
_chemical_formula_sum   'Tb12 In1 Ga1 Si4'
_cell_volume   471.99628254
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tb  Tb0  1  0.03536872  0.73382687  0.30154085  1.0
  Tb  Tb1  1  0.96463128  0.26617313  0.69845915  1.0
  Tb  Tb2  1  0.56771298  0.26617313  0.30154085  1.0
  Tb  Tb3  1  0.43228702  0.73382687  0.69845915  1.0
  Tb  Tb4  1  0.67998433  0.88285299  0.20286867  1.0
  Tb  Tb5  1  0.32001567  0.52288534  0.20286867  1.0
  Tb  Tb6  1  0.32001567  0.11714701  0.79713133  1.0
  Tb  Tb7  1  0.67998433  0.47711466  0.79713133  1.0
  Tb  Tb8  1  0.18044422  0.23009517  0.41053838  1.0
  Tb  Tb9  1  0.81955578  0.23009517  0.04965095  1.0
  Tb  Tb10  1  0.18044422  0.76990483  0.95034905  1.0
  Tb  Tb11  1  0.81955578  0.76990483  0.58946162  1.0
  In  In12  1  0.50000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Ga  Ga13  1  0.00000000  0.50000000  0.50000000  1.0
  Si  Si14  1  0.62840310  0.50000000  0.12840310  1.0
  Si  Si15  1  0.37159690  0.50000000  0.87159690  1.0
  Si  Si16  1  0.88473443  0.88473443  1.00000000  1.0
  Si  Si17  1  0.11526557  0.11526557  0.00000000  1.0
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