Th2Sc3GaSi3
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3315994 · 空间群: P1 (#1)
基础信息
化学式
Th2Sc3GaSi3
MP-ID
mp-3315994
元素数
4
位点数
36
密度
6.3524
g/cm³
体积
787.27
ų
晶胞参数 a
7.2763
Å
晶胞参数 b
7.4990
Å
晶胞参数 c
14.4284
Å
α 角
90.09
°
β 角
90.25
°
γ 角
89.96
°
空间群
P1
点群
1
晶体系统
Triclinic
Bravais 格子
aP
稳定性
Yes
堆积分数
-
能量属性
形成能/原子
-0.78235
eV/atom
能量/原子
-25.10569
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-25.1057
eV/atom
体积/原子
21.87
ų
c/a 比
1.9829
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
Yes
总磁矩
5.7086
μB
磁有序
FM
磁性位点数
4
磁化强度/体积
0.007250
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Sc · 0.333
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.667
间隙分数
0.333
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3108
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
10.8979
J/mol·K
Ω 参数
0.7589
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
16.986%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2712
越小混合越稳定
VEC
3.111
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-23.991
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9455
固溶体倾向
0
相趋势
AM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3315994
参考引用
The crystal structure and related material properties of Th2Sc3GaSi3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3315994, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Th2Sc3GaSi3
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 7.27625154
_cell_length_b 7.49902013
_cell_length_c 14.42834767
_cell_angle_alpha 90.09313531
_cell_angle_beta 90.24602048
_cell_angle_gamma 89.96039928
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Th2Sc3GaSi3
_chemical_formula_sum 'Th8 Sc12 Ga4 Si12'
_cell_volume 787.27079810
_cell_formula_units_Z 4
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Th Th0 1 0.00253445 0.17037014 0.09635509 1.0
Th Th1 1 0.99928236 0.82876062 0.90298569 1.0
Th Th2 1 0.49401582 0.67728836 0.90255872 1.0
Th Th3 1 0.99235784 0.82913108 0.60130711 1.0
Th Th4 1 0.50222784 0.32124822 0.09581043 1.0
Th Th5 1 0.00353313 0.17230903 0.40055928 1.0
Th Th6 1 0.50733972 0.32448430 0.39959026 1.0
Th Th7 1 0.49558545 0.67684866 0.60107511 1.0
Sc Sc8 1 0.16634005 0.50235596 0.75339954 1.0
Sc Sc9 1 0.83287829 0.49713141 0.24854473 1.0
Sc Sc10 1 0.33269435 0.00045206 0.24627308 1.0
Sc Sc11 1 0.66696110 0.00026032 0.75219749 1.0
Sc Sc12 1 0.33981594 0.17454364 0.62734120 1.0
Sc Sc13 1 0.66255893 0.82674757 0.37299411 1.0
Sc Sc14 1 0.16406933 0.67280883 0.37222757 1.0
Sc Sc15 1 0.65898336 0.82897488 0.12374813 1.0
Sc Sc16 1 0.83558497 0.32590875 0.62755813 1.0
Sc Sc17 1 0.34001205 0.17306598 0.87625842 1.0
Sc Sc18 1 0.83800030 0.32572701 0.87417438 1.0
Sc Sc19 1 0.16445718 0.67270488 0.12521504 1.0
Ga Ga20 1 0.16262653 0.46005915 0.53962735 1.0
Ga Ga21 1 0.83919525 0.54147893 0.46191215 1.0
Ga Ga22 1 0.33792046 0.95913842 0.46129591 1.0
Ga Ga23 1 0.83647157 0.53933011 0.03806766 1.0
Si Si24 1 0.04297179 0.12327159 0.75142378 1.0
Si Si25 1 0.95762195 0.87630114 0.24886438 1.0
Si Si26 1 0.46082812 0.62035197 0.24773876 1.0
Si Si27 1 0.54006682 0.37992041 0.75177853 1.0
Si Si28 1 0.29393671 0.88008177 0.75113662 1.0
Si Si29 1 0.70634352 0.12116972 0.24820276 1.0
Si Si30 1 0.20589974 0.37558976 0.24866578 1.0
Si Si31 1 0.79449400 0.62298081 0.75212500 1.0
Si Si32 1 0.66060559 0.04067340 0.53850783 1.0
Si Si33 1 0.16197465 0.46040857 0.96198325 1.0
Si Si34 1 0.66891048 0.04034869 0.95908022 1.0
Si Si35 1 0.33090335 0.95777383 0.03941852 1.0