Th2GaSi4Rh3
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3317495 · 空间群: C2/c (#15)
基础信息
化学式
Th2GaSi4Rh3
MP-ID
mp-3317495
元素数
4
位点数
20
密度
9.1027
g/cm³
体积
348.38
ų
晶胞参数 a
8.2863
Å
晶胞参数 b
8.2863
Å
晶胞参数 c
5.8540
Å
α 角
69.72
°
β 角
69.72
°
γ 角
91.79
°
空间群
C2/c
点群
2/m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mC
稳定性
Yes
堆积分数
-
能量属性
形成能/原子
-1.01932
eV/atom
能量/原子
-27.60903
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-27.6090
eV/atom
体积/原子
17.42
ų
c/a 比
0.7065
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0003
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Si · 0.400
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.600
间隙分数
0.400
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2799
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
10.6407
J/mol·K
Ω 参数
2.8651
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
16.908%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3404
越小混合越稳定
VEC
5.000
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-6.682
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9232
固溶体倾向
0
相趋势
IM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3317495
参考引用
The crystal structure and related material properties of Th2GaSi4Rh3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3317495, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
晶体结构 3D 渲染
加载 3D 结构...
样式: Ball & Stick
|
拖拽旋转 · 滚轮缩放 · 右键平移
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Th2GaSi4Rh3
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 8.28634203
_cell_length_b 8.28634248
_cell_length_c 5.85400100
_cell_angle_alpha 69.71629365
_cell_angle_beta 69.71628830
_cell_angle_gamma 91.78636137
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Th2GaSi4Rh3
_chemical_formula_sum 'Th4 Ga2 Si8 Rh6'
_cell_volume 348.37711852
_cell_formula_units_Z 2
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Th Th0 1 0.86366671 0.60216507 0.76612407 1.0
Th Th1 1 0.13633329 0.39783493 0.23387593 1.0
Th Th2 1 0.39783493 0.13633329 0.73387593 1.0
Th Th3 1 0.60216507 0.86366671 0.26612407 1.0
Ga Ga4 1 0.77285019 0.22714981 0.75000000 1.0
Ga Ga5 1 0.22714981 0.77285019 0.25000000 1.0
Si Si6 1 0.50647765 0.49352235 0.75000000 1.0
Si Si7 1 0.49352235 0.50647765 0.25000000 1.0
Si Si8 1 0.22534536 0.77465464 0.75000000 1.0
Si Si9 1 0.77465464 0.22534536 0.25000000 1.0
Si Si10 1 0.25759761 0.04409790 0.34746367 1.0
Si Si11 1 0.74240239 0.95590210 0.65253633 1.0
Si Si12 1 0.95590210 0.74240239 0.15253633 1.0
Si Si13 1 0.04409790 0.25759761 0.84746367 1.0
Rh Rh14 1 0.52108578 0.25204782 0.12680898 1.0
Rh Rh15 1 0.74795218 0.47891422 0.37319102 1.0
Rh Rh16 1 0.47891422 0.74795218 0.87319102 1.0
Rh Rh17 1 0.25204782 0.52108578 0.62680898 1.0
Rh Rh18 1 0.99388157 0.00611843 0.25000000 1.0
Rh Rh19 1 0.00611843 0.99388157 0.75000000 1.0