Ho3Sc(Si4Tc3)2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3318598 · 空间群: P1 (#1)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ho3Sc(Si4Tc3)2

MP-ID

mp-3318598

元素数

位点数

密度

7.9426

g/cm³

体积

282.75

Å³

晶胞参数 a

6.7061

晶胞参数 b

6.6855

晶胞参数 c

6.7087

α 角

70.09

β 角

89.98

γ 角

90.93

空间群

点群

晶体系统

Triclinic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.78808

eV/atom

能量/原子

-19.45589

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-19.4559

eV/atom

体积/原子

15.71

Å³

c/a 比

1.0004

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0005

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Si · 0.444

元素家族

Metalloid-Nonmetal

溶质分数

0.556

间隙分数

0.444

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.1858

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.8589

J/mol·K

Ω 参数

4.7240

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

15.714%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2664

越小混合越稳定

VEC

5.444

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-4.069

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8554

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahgvek

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3318598

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho3Sc(Si4Tc3)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3318598, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ho3Sc(Si4Tc3)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.70608470
_cell_length_b   6.68547134
_cell_length_c   6.70873322
_cell_angle_alpha   70.08706595
_cell_angle_beta   89.97512806
_cell_angle_gamma   90.92849661
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho3Sc(Si4Tc3)2
_chemical_formula_sum   'Ho3 Sc1 Si8 Tc6'
_cell_volume   282.74914558
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.16492025  0.05952280  0.80772384  1.0
  Ho  Ho1  1  0.33217678  0.55880064  0.80796493  1.0
  Ho  Ho2  1  0.82898026  0.94519158  0.19046850  1.0
  Sc  Sc3  1  0.67096032  0.43854677  0.19485410  1.0
  Si  Si4  1  0.43975913  0.11508132  0.11191632  1.0
  Si  Si5  1  0.94738665  0.38257073  0.90239594  1.0
  Si  Si6  1  0.54967699  0.87467716  0.89956223  1.0
  Si  Si7  1  0.04379580  0.62887748  0.09950802  1.0
  Si  Si8  1  0.85824245  0.13647002  0.50842106  1.0
  Si  Si9  1  0.36883771  0.36302980  0.49203503  1.0
  Si  Si10  1  0.14809086  0.87428423  0.47194324  1.0
  Si  Si11  1  0.64429603  0.62431936  0.50907371  1.0
  Tc  Tc12  1  0.50014780  0.00223221  0.49720547  1.0
  Tc  Tc13  1  0.99859352  0.50557604  0.49895510  1.0
  Tc  Tc14  1  0.14824647  0.25885404  0.24253125  1.0
  Tc  Tc15  1  0.65289991  0.25341778  0.76869995  1.0
  Tc  Tc16  1  0.84338039  0.75789589  0.76080074  1.0
  Tc  Tc17  1  0.35961167  0.72065015  0.23594057  1.0

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