导航

HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ho4Si8Tc5Os

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3318649 · 空间群: P1 (#1)

基础信息

化学式
Ho4Si8Tc5Os
MP-ID
mp-3318649
元素数
4
位点数
18
密度
9.0379
g/cm³
体积
287.47
ų
晶胞参数 a
6.7368
Å
晶胞参数 b
6.7759
Å
晶胞参数 c
6.7126
Å
α 角
69.76
°
β 角
90.22
°
γ 角
90.84
°
空间群
P1
点群
1
晶体系统
Triclinic
Bravais 格子
aP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.77152
eV/atom
能量/原子
-22.13396
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-22.1340
eV/atom
体积/原子
15.97
ų
c/a 比
0.9964

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.3022
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.001050
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Si · 0.444
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.556
间隙分数
0.444
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2110
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.0686
J/mol·K
Ω 参数
67.3811
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
16.435%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2954
越小混合越稳定
VEC
6.056
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-0.298
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8736
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3318649
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho4Si8Tc5Os were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3318649, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho4Si8Tc5Os
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.73681947
_cell_length_b   6.77586206
_cell_length_c   6.71256211
_cell_angle_alpha   69.76496195
_cell_angle_beta   90.22236416
_cell_angle_gamma   90.84328678
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho4Si8Tc5Os
_chemical_formula_sum   'Ho4 Si8 Tc5 Os1'
_cell_volume   287.47072341
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.66785452  0.43648485  0.19241841  1.0
  Ho  Ho1  1  0.16495083  0.06048484  0.80820479  1.0
  Ho  Ho2  1  0.32731436  0.55858898  0.80836173  1.0
  Ho  Ho3  1  0.82514259  0.94443640  0.19226851  1.0
  Si  Si4  1  0.43191633  0.10707639  0.11278359  1.0
  Si  Si5  1  0.94180536  0.38695247  0.89429691  1.0
  Si  Si6  1  0.54927785  0.87247464  0.89765586  1.0
  Si  Si7  1  0.04897985  0.63283720  0.10036235  1.0
  Si  Si8  1  0.86331094  0.13429472  0.50871804  1.0
  Si  Si9  1  0.36417418  0.36520691  0.49586088  1.0
  Si  Si10  1  0.15156903  0.87748742  0.46635324  1.0
  Si  Si11  1  0.64944254  0.62313004  0.52443133  1.0
  Tc  Tc12  1  0.50019422  0.98944148  0.49860876  1.0
  Tc  Tc13  1  0.99958845  0.51372736  0.49952175  1.0
  Tc  Tc14  1  0.15020938  0.26131257  0.24551897  1.0
  Tc  Tc15  1  0.64840270  0.24488797  0.75917796  1.0
  Tc  Tc16  1  0.85269901  0.77149327  0.76567906  1.0
  Os  Os17  1  0.36317085  0.71968148  0.22977786  1.0
获取直接链接