Th10GaSn3Bi4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3319520 · 空间群: Cm (#8)

Materials Project API

基础信息

化学式

Th10GaSn3Bi4

MP-ID

mp-3319520

元素数

位点数

密度

10.9943

g/cm³

体积

541.04

Å³

晶胞参数 a

9.7166

晶胞参数 b

9.7274

晶胞参数 c

6.6074

α 角

89.97

β 角

90.06

γ 角

119.96

空间群

点群

晶体系统

Monoclinic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
10.51	8.4179	3.4	(1,-1,0)
13.40	6.6074	1.3	(0,0,1)
18.24	4.8637	1.1	(1,-2,0)
21.11	4.2090	3.2	(2,-2,0)
22.71	3.9160	1.2	(2,-1,-1)
22.71	3.9160	2.2	(1,1,1)
25.10	3.5485	1.2	(2,0,1)
26.99	3.3037	19.6	(0,0,2)
28.02	3.1847	10.4	(1,-3,0)
28.03	3.1832	6.9	(2,-3,0)
28.05	3.1807	6.2	(3,-2,0)
29.03	3.0762	2.4	(1,-1,-2)
29.03	3.0758	2.5	(0,1,2)
29.03	3.0758	2.5	(0,1,-2)
29.04	3.0744	2.5	(1,0,2)
31.17	2.8692	16.0	(1,-3,-1)
31.18	2.8685	21.0	(2,-3,-1)
31.18	2.8685	20.3	(1,2,1)
31.20	2.8670	26.3	(3,-2,-1)
31.20	2.8670	26.6	(2,1,1)
31.22	2.8648	20.8	(3,-1,1)
31.86	2.8091	52.9	(0,3,0)
31.89	2.8060	100.0	(3,-3,0)
32.76	2.7335	74.4	(1,-2,-2)

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能量属性

形成能/原子

-0.69389

eV/atom

能量/原子

-59.27406

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-59.2741

eV/atom

体积/原子

30.06

Å³

c/a 比

0.6800

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0056

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000010

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Th · 0.556

元素家族

Actinide

溶质分数

0.444

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.1200

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.3116

J/mol·K

Ω 参数

47.3982

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

8.466%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3365

越小混合越稳定

VEC

3.056

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-0.274

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8079

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahgwnw

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3319520

参考引用

The crystal structure and related material properties of Th10GaSn3Bi4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3319520, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Th10GaSn3Bi4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   9.71663909
_cell_length_b   9.72734845
_cell_length_c   6.60735144
_cell_angle_alpha   89.97089007
_cell_angle_beta   90.05827811
_cell_angle_gamma   119.96358743
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th10GaSn3Bi4
_chemical_formula_sum   'Th10 Ga1 Sn3 Bi4'
_cell_volume   541.03778043
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.00041614  0.73116049  0.76022172  1.0
  Th  Th1  1  0.26925565  0.26883951  0.76022172  1.0
  Th  Th2  1  0.33080793  0.66381285  0.49736978  1.0
  Th  Th3  1  0.66699609  0.33618715  0.49736978  1.0
  Th  Th4  1  0.73157111  0.72781130  0.23991488  1.0
  Th  Th5  1  0.73168523  1.00000000  0.76077504  1.0
  Th  Th6  1  0.00376080  0.27218870  0.23991488  1.0
  Th  Th7  1  0.26770358  0.00000000  0.24006255  1.0
  Th  Th8  1  0.33135490  0.66410237  0.00271180  1.0
  Th  Th9  1  0.66725352  0.33589763  0.00271180  1.0
  Ga  Ga10  1  0.99947363  0.00000000  0.00080104  1.0
  Sn  Sn11  1  0.38491230  0.38448175  0.25221283  1.0
  Sn  Sn12  1  0.00042955  0.61551825  0.25221283  1.0
  Sn  Sn13  1  0.99930891  1.00000000  0.49984206  1.0
  Bi  Bi14  1  0.61407642  0.61438038  0.74654721  1.0
  Bi  Bi15  1  0.99969604  0.38561962  0.74654721  1.0
  Bi  Bi16  1  0.38560971  1.00000000  0.74691433  1.0
  Bi  Bi17  1  0.61568749  0.00000000  0.25364857  1.0

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