Ho3Th(Si4Tc3)2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3319558 · 空间群: P1 (#1)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ho3Th(Si4Tc3)2

MP-ID

mp-3319558

元素数

位点数

密度

8.6908

g/cm³

体积

294.15

Å³

晶胞参数 a

6.7693

晶胞参数 b

6.8505

晶胞参数 c

6.7693

α 角

69.65

β 角

89.83

γ 角

88.13

空间群

点群

晶体系统

Triclinic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.73035

eV/atom

能量/原子

-22.84687

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-22.8469

eV/atom

体积/原子

16.34

Å³

c/a 比

1.0000

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0011

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Si · 0.444

元素家族

Metalloid-Nonmetal

溶质分数

0.556

间隙分数

0.444

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.1858

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.8589

J/mol·K

Ω 参数

0.0000

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

16.776%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2716

越小混合越稳定

VEC

5.389

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

0.000

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8554

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahgwpi

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3319558

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho3Th(Si4Tc3)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3319558, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ho3Th(Si4Tc3)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.76930682
_cell_length_b   6.85049264
_cell_length_c   6.76934304
_cell_angle_alpha   69.64905294
_cell_angle_beta   89.83475845
_cell_angle_gamma   88.12849427
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho3Th(Si4Tc3)2
_chemical_formula_sum   'Ho3 Th1 Si8 Tc6'
_cell_volume   294.15173529
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.16756171  0.06002316  0.80773394  1.0
  Ho  Ho1  1  0.32871694  0.55509140  0.80635464  1.0
  Ho  Ho2  1  0.83159345  0.93639244  0.19282006  1.0
  Th  Th3  1  0.66369301  0.44867006  0.18709439  1.0
  Si  Si4  1  0.44832849  0.12449003  0.09518639  1.0
  Si  Si5  1  0.94211824  0.38226561  0.88625762  1.0
  Si  Si6  1  0.54827124  0.88302677  0.89449165  1.0
  Si  Si7  1  0.07061921  0.61381794  0.11262842  1.0
  Si  Si8  1  0.86091239  0.12290370  0.51026480  1.0
  Si  Si9  1  0.34536200  0.37194554  0.47828881  1.0
  Si  Si10  1  0.14177878  0.87033441  0.49305355  1.0
  Si  Si11  1  0.64909957  0.63102367  0.53350479  1.0
  Tc  Tc12  1  0.50052223  0.99929573  0.49947254  1.0
  Tc  Tc13  1  0.00004400  0.50314323  0.49976737  1.0
  Tc  Tc14  1  0.14318069  0.22623306  0.23489471  1.0
  Tc  Tc15  1  0.65119225  0.24575333  0.75320107  1.0
  Tc  Tc16  1  0.85696016  0.76873462  0.76984283  1.0
  Tc  Tc17  1  0.35004564  0.75685631  0.24514444  1.0

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