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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Tb10GaSi3Bi4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3319570 · 空间群: Cm (#8)

基础信息

化学式
Tb10GaSi3Bi4
MP-ID
mp-3319570
元素数
4
位点数
18
密度
8.7075
g/cm³
体积
491.85
ų
晶胞参数 a
8.6687
Å
晶胞参数 b
8.6687
Å
晶胞参数 c
8.0019
Å
α 角
89.74
°
β 角
89.74
°
γ 角
125.11
°
空间群
Cm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mC
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
11.50 7.6932 10.0 (1,-1,0)
16.63 5.3301 12.4 (1,0,1)
16.78 5.2838 18.9 (1,0,-1)
22.22 4.0008 21.5 (0,0,2)
22.25 3.9949 20.8 (1,1,0)
23.12 3.8466 11.8 (2,-2,0)
23.37 3.8072 4.0 (2,-1,1)
24.81 3.5884 42.2 (1,1,1)
25.01 3.5601 40.7 (1,1,-1)
25.09 3.5495 10.4 (1,-1,-2)
25.09 3.5495 10.4 (1,-1,2)
25.12 3.5454 10.5 (0,2,0)
25.12 3.5454 10.5 (2,0,0)
25.47 3.4976 36.2 (1,0,2)
25.66 3.4714 35.1 (1,0,-2)
30.38 2.9420 21.8 (1,-2,-2)
30.38 2.9420 21.8 (2,-1,2)
30.55 2.9263 41.5 (2,-1,-2)
31.49 2.8410 72.1 (1,1,2)
31.81 2.8130 60.8 (1,1,-2)
32.28 2.7729 99.9 (2,-2,2)
32.31 2.7709 100.0 (3,-1,0)
33.11 2.7059 97.4 (3,-2,1)
33.18 2.6998 99.0 (3,-2,-1)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.92694
eV/atom
能量/原子
-33.37347
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-33.3735
eV/atom
体积/原子
27.32
ų
c/a 比
0.9231

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.1147
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000230
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tb · 0.556
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.444
间隙分数
0.167
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1200
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.3116
J/mol·K
Ω 参数
11.4588
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
13.537%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.4248
越小混合越稳定
VEC
6.944
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-1.076
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8079
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3319570
参考引用

The crystal structure and related material properties of Tb10GaSi3Bi4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3319570, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Tb10GaSi3Bi4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.66869117
_cell_length_b   8.66869185
_cell_length_c   8.00189363
_cell_angle_alpha   89.73852370
_cell_angle_beta   89.73853099
_cell_angle_gamma   125.11493855
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Tb10GaSi3Bi4
_chemical_formula_sum   'Tb10 Ga1 Si3 Bi4'
_cell_volume   491.84896089
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tb  Tb0  1  0.04164807  0.28687751  0.33629022  1.0
  Tb  Tb1  1  0.95778244  0.71502344  0.66376120  1.0
  Tb  Tb2  1  0.45877766  0.21059100  0.83488380  1.0
  Tb  Tb3  1  0.78827199  0.54091582  0.16397311  1.0
  Tb  Tb4  1  0.54091582  0.78827199  0.16397311  1.0
  Tb  Tb5  1  0.21059100  0.45877766  0.83488380  1.0
  Tb  Tb6  1  0.71502344  0.95778244  0.66376120  1.0
  Tb  Tb7  1  0.28687751  0.04164807  0.33629022  1.0
  Tb  Tb8  1  0.99918624  0.99918624  0.99944543  1.0
  Tb  Tb9  1  0.50111420  0.50111420  0.50138559  1.0
  Ga  Ga10  1  0.36634134  0.36634134  0.13212076  1.0
  Si  Si11  1  0.63172830  0.63172830  0.86872919  1.0
  Si  Si12  1  0.13860381  0.13860381  0.63614246  1.0
  Si  Si13  1  0.86313965  0.86313965  0.36229145  1.0
  Bi  Bi14  1  0.79229784  0.20458868  0.00004510  1.0
  Bi  Bi15  1  0.20458868  0.79229784  0.00004510  1.0
  Bi  Bi16  1  0.70819528  0.29491572  0.50099014  1.0
  Bi  Bi17  1  0.29491572  0.70819528  0.50099014  1.0
获取直接链接