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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ba4Ga7PIr8

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3319812 · 空间群: C2 (#5)

基础信息

化学式
Ba4Ga7PIr8
MP-ID
mp-3319812
元素数
4
位点数
20
密度
10.0122
g/cm³
体积
432.22
ų
晶胞参数 a
6.2426
Å
晶胞参数 b
8.4272
Å
晶胞参数 c
8.4276
Å
α 角
77.14
°
β 角
89.78
°
γ 角
89.76
°
空间群
C2
点群
2
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.69323
eV/atom
能量/原子
-31.39197
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-31.3920
eV/atom
体积/原子
21.61
ų
c/a 比
1.3500

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0019
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ir · 0.400
元素家族
5d-TM
溶质分数
0.600
间隙分数
0.050
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2056
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.0236
J/mol·K
Ω 参数
2.4019
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
21.909%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.4871
越小混合越稳定
VEC
5.300
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-5.915
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8697
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3319812
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ba4Ga7PIr8 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3319812, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ba4Ga7PIr8
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.24262273
_cell_length_b   8.42721545
_cell_length_c   8.42756056
_cell_angle_alpha   77.13547027
_cell_angle_beta   89.77736481
_cell_angle_gamma   89.75703369
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ba4Ga7PIr8
_chemical_formula_sum   'Ba4 Ga7 P1 Ir8'
_cell_volume   432.22203930
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ba  Ba0  1  0.37491987  0.99980528  0.25037344  1.0
  Ba  Ba1  1  0.87500925  0.50009881  0.75022107  1.0
  Ba  Ba2  1  0.11672982  0.50071556  0.25113125  1.0
  Ba  Ba3  1  0.63335174  0.99868530  0.74907819  1.0
  Ga  Ga4  1  0.37534479  0.31902369  0.93084937  1.0
  Ga  Ga5  1  0.13309970  0.17560232  0.57272755  1.0
  Ga  Ga6  1  0.62163854  0.32433765  0.43135961  1.0
  Ga  Ga7  1  0.87510546  0.82670598  0.42314490  1.0
  Ga  Ga8  1  0.87482446  0.17765422  0.07219378  1.0
  Ga  Ga9  1  0.61648939  0.67734412  0.07449822  1.0
  Ga  Ga10  1  0.12867466  0.81878530  0.92575749  1.0
  P  P11  1  0.37488481  0.67248837  0.57746545  1.0
  Ir  Ir12  1  0.36797846  0.39260829  0.62820513  1.0
  Ir  Ir13  1  0.60534716  0.62833126  0.38341042  1.0
  Ir  Ir14  1  0.14458123  0.86661899  0.62171592  1.0
  Ir  Ir15  1  0.12722900  0.11912182  0.87190287  1.0
  Ir  Ir16  1  0.62281176  0.37812004  0.13101895  1.0
  Ir  Ir17  1  0.87350162  0.87696453  0.12466054  1.0
  Ir  Ir18  1  0.38204698  0.62177595  0.85733826  1.0
  Ir  Ir19  1  0.87643329  0.12520954  0.37294558  1.0
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