Ho2Th3Si3C

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3320740 · 空间群: P6_3/mcm (#193)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ho2Th3Si3C

MP-ID

mp-3320740

元素数

位点数

密度

8.8457

g/cm³

体积

421.34

Å³

晶胞参数 a

8.7194

晶胞参数 b

8.7194

晶胞参数 c

6.3993

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P6_3/mcm

点群

6/mmm

晶体系统

Hexagonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
11.72	7.5512	12.5	(1,0,-1,0)
20.37	4.3597	6.6	(2,-1,-1,0)
23.56	3.7756	28.6	(2,0,-2,0)
24.71	3.6030	58.4	(2,-1,-1,1)
27.88	3.1997	11.2	(0,0,0,2)
30.34	2.9461	49.8	(1,0,-1,2)
31.34	2.8541	33.6	(3,-1,-2,0)
31.34	2.8541	16.8	(2,-3,1,0)
34.41	2.6066	20.0	(2,1,-3,1)
34.41	2.6066	100.0	(3,-1,-2,1)
34.78	2.5795	65.3	(2,-1,-1,2)
35.67	2.5171	22.6	(3,0,-3,0)
42.44	2.1299	3.4	(3,-1,-2,2)
43.88	2.0634	5.1	(4,-2,-2,1)
45.87	1.9783	1.3	(3,0,-3,2)
45.87	1.9783	2.7	(3,-3,0,2)
47.45	1.9161	10.9	(2,-1,-1,3)
48.21	1.8878	9.7	(4,0,-4,0)
50.67	1.8015	16.4	(4,-2,-2,2)
50.67	1.8015	8.2	(2,-4,2,2)
52.20	1.7523	10.9	(4,-1,-3,2)
52.85	1.7324	5.6	(5,-2,-3,0)
53.64	1.7086	34.7	(3,-1,-2,3)
54.91	1.6722	16.1	(5,-2,-3,1)

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能量属性

形成能/原子

-0.71340

eV/atom

能量/原子

-36.54196

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-36.5420

eV/atom

体积/原子

23.41

Å³

c/a 比

0.7339

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

Yes

总磁矩

1.2372

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.002940

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Th · 0.333

元素家族

Actinide

溶质分数

0.667

间隙分数

0.444

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.3108

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.8979

J/mol·K

Ω 参数

15.2818

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

25.379%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.4361

越小混合越稳定

VEC

4.889

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-1.481

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9455

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahgyiu

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3320740

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho2Th3Si3C were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3320740, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ho2Th3Si3C
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.71934663
_cell_length_b   8.71934622
_cell_length_c   6.39933916
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.99999779
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho2Th3Si3C
_chemical_formula_sum   'Ho4 Th6 Si6 C2'
_cell_volume   421.34091600
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.66666700  0.33333300  0.00000000  1.0
  Ho  Ho1  1  0.33333300  0.66666700  0.00000000  1.0
  Ho  Ho2  1  0.33333300  0.66666700  0.50000000  1.0
  Ho  Ho3  1  0.66666700  0.33333300  0.50000000  1.0
  Th  Th4  1  0.76587618  0.76587618  0.75000000  1.0
  Th  Th5  1  0.23412382  0.00000000  0.75000000  1.0
  Th  Th6  1  0.00000000  0.23412382  0.75000000  1.0
  Th  Th7  1  0.23412382  0.23412382  0.25000000  1.0
  Th  Th8  1  0.76587618  0.00000000  0.25000000  1.0
  Th  Th9  1  0.00000000  0.76587618  0.25000000  1.0
  Si  Si10  1  0.40249904  0.40249904  0.75000000  1.0
  Si  Si11  1  0.59750096  0.00000000  0.75000000  1.0
  Si  Si12  1  0.00000000  0.59750096  0.75000000  1.0
  Si  Si13  1  0.59750096  0.59750096  0.25000000  1.0
  Si  Si14  1  0.40249904  0.00000000  0.25000000  1.0
  Si  Si15  1  0.00000000  0.40249904  0.25000000  1.0
  C  C16  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  C  C17  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0

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