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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Dy2VSi4Tc7

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3320962 · 空间群: Pm (#6)

基础信息

化学式
Dy2VSi4Tc7
MP-ID
mp-3320962
元素数
4
位点数
14
密度
8.8622
g/cm³
体积
220.03
ų
晶胞参数 a
6.8777
Å
晶胞参数 b
7.6565
Å
晶胞参数 c
4.1785
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
89.86
°
空间群
Pm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mP
稳定性
No
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.62718
eV/atom
能量/原子
-21.69153
eV/atom
凸包距离
0.0025
eV/atom
未修正能量
-21.6915
eV/atom
体积/原子
15.72
ų
c/a 比
0.6075

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0008
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tc · 0.500
元素家族
4d-TM
溶质分数
0.500
间隙分数
0.286
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1710
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.7357
J/mol·K
Ω 参数
5.5468
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
13.222%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2402
越小混合越稳定
VEC
5.429
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-3.673
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8447
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3320962
参考引用

The crystal structure and related material properties of Dy2VSi4Tc7 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3320962, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Dy2VSi4Tc7
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.87765209
_cell_length_b   7.65645827
_cell_length_c   4.17844689
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   89.86034507
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Dy2VSi4Tc7
_chemical_formula_sum   'Dy2 V1 Si4 Tc7'
_cell_volume   220.02990930
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Dy  Dy0  1  0.50214843  0.49975366  0.50000000  1.0
  Dy  Dy1  1  0.99574537  0.99945869  0.00000000  1.0
  V  V2  1  0.64643270  0.88505116  0.50000000  1.0
  Si  Si3  1  0.77067918  0.18828595  0.50000000  1.0
  Si  Si4  1  0.23033986  0.81174816  0.50000000  1.0
  Si  Si5  1  0.26821471  0.30877819  0.00000000  1.0
  Si  Si6  1  0.73180883  0.69224727  0.00000000  1.0
  Tc  Tc7  1  0.35023992  0.11195355  0.50000000  1.0
  Tc  Tc8  1  0.15420176  0.61150673  0.00000000  1.0
  Tc  Tc9  1  0.84724929  0.38833157  0.00000000  1.0
  Tc  Tc10  1  0.91963102  0.65745659  0.50000000  1.0
  Tc  Tc11  1  0.08157274  0.34114027  0.50000000  1.0
  Tc  Tc12  1  0.58290418  0.16272992  0.00000000  1.0
  Tc  Tc13  1  0.41883301  0.84155730  0.00000000  1.0
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