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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ho8Sc12Ga7Si9

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3321333 · 空间群: P1 (#1)

基础信息

化学式
Ho8Sc12Ga7Si9
MP-ID
mp-3321333
元素数
4
位点数
36
密度
5.7615
g/cm³
体积
749.28
ų
晶胞参数 a
7.1316
Å
晶胞参数 b
7.3979
Å
晶胞参数 c
14.2020
Å
α 角
89.99
°
β 角
89.92
°
γ 角
90.07
°
空间群
P1
点群
1
晶体系统
Triclinic
Bravais 格子
aP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.82240
eV/atom
能量/原子
-16.34728
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-16.3473
eV/atom
体积/原子
20.81
ų
c/a 比
1.9914

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
1.0301
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.001370
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Sc · 0.333
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.667
间隙分数
0.250
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3654
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
11.3523
J/mol·K
Ω 参数
0.7322
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
15.073%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2803
越小混合越稳定
VEC
5.028
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-22.800
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9850
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3321333
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho8Sc12Ga7Si9 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3321333, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho8Sc12Ga7Si9
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.13155236
_cell_length_b   7.39793670
_cell_length_c   14.20198506
_cell_angle_alpha   89.98781187
_cell_angle_beta   89.92141171
_cell_angle_gamma   90.06919670
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho8Sc12Ga7Si9
_chemical_formula_sum   'Ho8 Sc12 Ga7 Si9'
_cell_volume   749.27803612
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.01250792  0.17489174  0.09880967  1.0
  Ho  Ho1  1  0.98868081  0.82236908  0.90184550  1.0
  Ho  Ho2  1  0.48812455  0.67687667  0.90156349  1.0
  Ho  Ho3  1  0.98885897  0.82342956  0.59940016  1.0
  Ho  Ho4  1  0.51162338  0.32252455  0.09908364  1.0
  Ho  Ho5  1  0.01055639  0.17617520  0.40034008  1.0
  Ho  Ho6  1  0.51080000  0.32304620  0.39994141  1.0
  Ho  Ho7  1  0.48917301  0.67675454  0.59926660  1.0
  Sc  Sc8  1  0.16398934  0.50128339  0.74985060  1.0
  Sc  Sc9  1  0.83660101  0.49954698  0.24993973  1.0
  Sc  Sc10  1  0.33563124  0.00093957  0.24927977  1.0
  Sc  Sc11  1  0.66334190  0.99952139  0.74967583  1.0
  Sc  Sc12  1  0.33054731  0.17378725  0.62548086  1.0
  Sc  Sc13  1  0.66874240  0.82643956  0.37387712  1.0
  Sc  Sc14  1  0.16902855  0.67375262  0.37395422  1.0
  Sc  Sc15  1  0.66928651  0.82480448  0.12600400  1.0
  Sc  Sc16  1  0.83088853  0.32624163  0.62573224  1.0
  Sc  Sc17  1  0.33028310  0.17506821  0.87506909  1.0
  Sc  Sc18  1  0.82954267  0.32664708  0.87508234  1.0
  Sc  Sc19  1  0.17130368  0.67517579  0.12477855  1.0
  Ga  Ga20  1  0.16029918  0.46315567  0.53920846  1.0
  Ga  Ga21  1  0.83903442  0.53681774  0.46070242  1.0
  Ga  Ga22  1  0.33919916  0.96317449  0.46059336  1.0
  Ga  Ga23  1  0.83975247  0.53744507  0.03991963  1.0
  Ga  Ga24  1  0.66057543  0.03691121  0.53908500  1.0
  Ga  Ga25  1  0.15987525  0.46272211  0.96095457  1.0
  Ga  Ga26  1  0.65938947  0.03702487  0.96126541  1.0
  Si  Si27  1  0.03326045  0.11238420  0.75117002  1.0
  Si  Si28  1  0.96659746  0.88662364  0.24936591  1.0
  Si  Si29  1  0.46614395  0.61207151  0.24920853  1.0
  Si  Si30  1  0.53356240  0.38761369  0.75025879  1.0
  Si  Si31  1  0.28422720  0.87351037  0.75087926  1.0
  Si  Si32  1  0.71552057  0.12696051  0.24910817  1.0
  Si  Si33  1  0.21488175  0.37230205  0.24921182  1.0
  Si  Si34  1  0.78423752  0.62711640  0.75062733  1.0
  Si  Si35  1  0.34393308  0.96488698  0.03946043  1.0
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