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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

V10Si6HC

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3321566 · 空间群: P-31m (#162)

基础信息

化学式
V10Si6HC
MP-ID
mp-3321566
元素数
4
位点数
18
密度
5.4616
g/cm³
体积
210.08
ų
晶胞参数 a
7.1141
Å
晶胞参数 b
7.1141
Å
晶胞参数 c
4.7930
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.00
°
空间群
P-31m
点群
-3m
晶体系统
Trigonal
Bravais 格子
hP
稳定性
Yes
堆积分数
0.7405

能量属性

形成能/原子
-0.64541
eV/atom
能量/原子
-12.14212
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-12.1421
eV/atom
体积/原子
11.67
ų
c/a 比
0.6737

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
Yes
总磁矩
1.6301
μB
磁有序
FiM
磁性位点数
10
磁化强度/体积
0.007760
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.556
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.444
间隙分数
0.389
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0139
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.4296
J/mol·K
Ω 参数
0.3649
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
22.452%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2440
越小混合越稳定
VEC
4.389
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-45.926
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7314
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3321566
参考引用

The crystal structure and related material properties of V10Si6HC were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3321566, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V10Si6HC
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.11413403
_cell_length_b   7.11413343
_cell_length_c   4.79295127
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.99999818
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V10Si6HC
_chemical_formula_sum   'V10 Si6 H1 C1'
_cell_volume   210.07661061
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.23804437  1.00000000  0.75322933  1.0
  V  V1  1  0.76195563  0.00000000  0.24677067  1.0
  V  V2  1  0.00000000  0.23804437  0.75322933  1.0
  V  V3  1  1.00000000  0.76195563  0.24677067  1.0
  V  V4  1  0.76195563  0.76195563  0.75322933  1.0
  V  V5  1  0.23804437  0.23804437  0.24677067  1.0
  V  V6  1  0.33333300  0.66666700  0.50000000  1.0
  V  V7  1  0.66666700  0.33333300  0.50000000  1.0
  V  V8  1  0.66666700  0.33333300  0.00000000  1.0
  V  V9  1  0.33333300  0.66666700  0.00000000  1.0
  Si  Si10  1  0.59712168  0.00000000  0.74492549  1.0
  Si  Si11  1  0.40287832  1.00000000  0.25507451  1.0
  Si  Si12  1  1.00000000  0.59712168  0.74492549  1.0
  Si  Si13  1  0.00000000  0.40287832  0.25507451  1.0
  Si  Si14  1  0.40287832  0.40287832  0.74492549  1.0
  Si  Si15  1  0.59712168  0.59712168  0.25507451  1.0
  H  H16  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  C  C17  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
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