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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Tm4GaSi7Tc6

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3321630 · 空间群: P1 (#1)

基础信息

化学式
Tm4GaSi7Tc6
MP-ID
mp-3321630
元素数
4
位点数
18
密度
8.8911
g/cm³
体积
285.76
ų
晶胞参数 a
6.7477
Å
晶胞参数 b
6.6515
Å
晶胞参数 c
6.7636
Å
α 角
70.28
°
β 角
90.37
°
γ 角
90.06
°
空间群
P1
点群
1
晶体系统
Triclinic
Bravais 格子
aP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.77041
eV/atom
能量/原子
-21.27770
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-21.2777
eV/atom
体积/原子
15.88
ų
c/a 比
1.0024

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0004
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Si · 0.389
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.611
间隙分数
0.389
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2283
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.2122
J/mol·K
Ω 参数
16.5226
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
15.971%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2683
越小混合越稳定
VEC
6.278
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-1.166
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8860
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3321630
参考引用

The crystal structure and related material properties of Tm4GaSi7Tc6 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3321630, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Tm4GaSi7Tc6
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.74768576
_cell_length_b   6.65152781
_cell_length_c   6.76357215
_cell_angle_alpha   70.28311710
_cell_angle_beta   90.37110965
_cell_angle_gamma   90.05957218
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Tm4GaSi7Tc6
_chemical_formula_sum   'Tm4 Ga1 Si7 Tc6'
_cell_volume   285.76158916
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tm  Tm0  1  0.32990748  0.55549004  0.80599447  1.0
  Tm  Tm1  1  0.83294334  0.94243155  0.19566676  1.0
  Tm  Tm2  1  0.66829713  0.44009677  0.19510060  1.0
  Tm  Tm3  1  0.16952030  0.05648346  0.80966902  1.0
  Ga  Ga4  1  0.55148212  0.87096136  0.89993584  1.0
  Si  Si5  1  0.04790992  0.62182495  0.10097728  1.0
  Si  Si6  1  0.45142733  0.12178989  0.10161594  1.0
  Si  Si7  1  0.95132934  0.37609006  0.89831748  1.0
  Si  Si8  1  0.14145378  0.87128487  0.48995348  1.0
  Si  Si9  1  0.63784653  0.63492948  0.51022226  1.0
  Si  Si10  1  0.85753248  0.13227673  0.51702099  1.0
  Si  Si11  1  0.35867907  0.36747936  0.48852479  1.0
  Tc  Tc12  1  0.50361859  0.00772339  0.49131705  1.0
  Tc  Tc13  1  0.99677160  0.49401191  0.49889295  1.0
  Tc  Tc14  1  0.85702809  0.75450100  0.75497965  1.0
  Tc  Tc15  1  0.33954809  0.74172858  0.24678443  1.0
  Tc  Tc16  1  0.15430736  0.24271945  0.23370188  1.0
  Tc  Tc17  1  0.65039647  0.26817616  0.76132515  1.0
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