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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ho2Ga3Tc8Ge

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3322000 · 空间群: Amm2 (#38)

基础信息

化学式
Ho2Ga3Tc8Ge
MP-ID
mp-3322000
元素数
4
位点数
14
密度
10.1823
g/cm³
体积
227.61
ų
晶胞参数 a
7.2394
Å
晶胞参数 b
7.2394
Å
晶胞参数 c
4.3429
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.06
°
空间群
Amm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.36747
eV/atom
能量/原子
-23.34463
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-23.3446
eV/atom
体积/原子
16.26
ų
c/a 比
0.5999

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0005
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tc · 0.571
元素家族
4d-TM
溶质分数
0.429
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1164
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.2815
J/mol·K
Ω 参数
17.4219
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
10.369%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2351
越小混合越稳定
VEC
5.357
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-0.952
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8053
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3322000
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho2Ga3Tc8Ge were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3322000, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho2Ga3Tc8Ge
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.23938704
_cell_length_b   7.23938704
_cell_length_c   4.34291982
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.06288756
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho2Ga3Tc8Ge
_chemical_formula_sum   'Ho2 Ga3 Tc8 Ge1'
_cell_volume   227.60675202
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.99951678  0.00048322  0.00000000  1.0
  Ho  Ho1  1  0.50048442  0.49951558  0.50000000  1.0
  Ga  Ga2  1  0.29451649  0.29335730  0.00000000  1.0
  Ga  Ga3  1  0.70664270  0.70548351  0.00000000  1.0
  Ga  Ga4  1  0.79300145  0.20699855  0.50000000  1.0
  Tc  Tc5  1  0.60722735  0.14458113  0.00000000  1.0
  Tc  Tc6  1  0.39376829  0.85445661  0.00000000  1.0
  Tc  Tc7  1  0.64453906  0.89261170  0.50000000  1.0
  Tc  Tc8  1  0.10738830  0.35546094  0.50000000  1.0
  Tc  Tc9  1  0.35110091  0.10536612  0.50000000  1.0
  Tc  Tc10  1  0.89463388  0.64889909  0.50000000  1.0
  Tc  Tc11  1  0.14554339  0.60623171  0.00000000  1.0
  Tc  Tc12  1  0.85541887  0.39277265  0.00000000  1.0
  Ge  Ge13  1  0.20621811  0.79378189  0.50000000  1.0
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