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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

TbSi2Tc3Os

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3322048 · 空间群: P2/m (#10)

基础信息

化学式
TbSi2Tc3Os
MP-ID
mp-3322048
元素数
4
位点数
14
密度
10.5302
g/cm³
体积
220.56
ų
晶胞参数 a
7.1459
Å
晶胞参数 b
7.6079
Å
晶胞参数 c
4.0573
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
89.34
°
空间群
P2/m
点群
2/m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mP
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
11.63 7.6074 10.1 (0,1,0)
12.39 7.1455 19.9 (1,0,0)
16.93 5.2385 3.1 (1,1,0)
17.12 5.1785 24.1 (1,-1,0)
21.91 4.0573 8.2 (0,0,1)
23.39 3.8037 2.7 (0,2,0)
24.87 3.5799 28.9 (0,1,1)
24.92 3.5727 32.4 (2,0,0)
27.46 3.2483 1.9 (2,1,0)
27.71 3.2196 5.1 (2,-1,0)
27.81 3.2077 17.8 (1,1,1)
27.94 3.1938 51.5 (1,-1,1)
32.26 2.7749 1.2 (0,2,1)
33.42 2.6813 1.8 (2,0,1)
34.58 2.5941 90.3 (1,2,1)
34.64 2.5893 12.6 (2,-2,0)
34.78 2.5794 52.5 (1,-2,1)
35.40 2.5358 2.4 (0,3,0)
35.40 2.5357 46.7 (2,1,1)
35.60 2.5220 100.0 (2,-1,1)
37.50 2.3985 59.5 (1,3,0)
37.78 2.3811 55.4 (1,-3,0)
39.52 2.2805 35.3 (3,1,0)
39.79 2.2656 11.4 (3,-1,0)
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能量属性

形成能/原子
-0.61243
eV/atom
能量/原子
-26.27717
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-26.2772
eV/atom
体积/原子
15.75
ų
c/a 比
0.5678

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0217
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000100
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tc · 0.429
元素家族
4d-TM
溶质分数
0.571
间隙分数
0.286
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2770
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.6173
J/mol·K
Ω 参数
48.0412
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
13.212%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3149
越小混合越稳定
VEC
5.714
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-0.492
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9212
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3322048
参考引用

The crystal structure and related material properties of TbSi2Tc3Os were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3322048, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_TbSi2Tc3Os
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.14592586
_cell_length_b   7.60787913
_cell_length_c   4.05724631
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   89.33855917
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   TbSi2Tc3Os
_chemical_formula_sum   'Tb2 Si4 Tc6 Os2'
_cell_volume   220.55887854
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tb  Tb0  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Tb  Tb1  1  0.50000000  0.50000000  0.50000000  1.0
  Si  Si2  1  0.27571022  0.30185694  0.00000000  1.0
  Si  Si3  1  0.72428978  0.69814306  0.00000000  1.0
  Si  Si4  1  0.77480482  0.19556253  0.50000000  1.0
  Si  Si5  1  0.22519518  0.80443747  0.50000000  1.0
  Tc  Tc6  1  0.65490654  0.90014071  0.50000000  1.0
  Tc  Tc7  1  0.07470050  0.34035215  0.50000000  1.0
  Tc  Tc8  1  0.34509346  0.09985929  0.50000000  1.0
  Tc  Tc9  1  0.92529950  0.65964785  0.50000000  1.0
  Tc  Tc10  1  0.15042646  0.60109337  0.00000000  1.0
  Tc  Tc11  1  0.84957354  0.39890663  0.00000000  1.0
  Os  Os12  1  0.57927217  0.15914257  0.00000000  1.0
  Os  Os13  1  0.42072783  0.84085743  0.00000000  1.0
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