导航

HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Th4Si10Ir5Os

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3322379 · 空间群: I222 (#23)

基础信息

化学式
Th4Si10Ir5Os
MP-ID
mp-3322379
元素数
4
位点数
20
密度
11.3108
g/cm³
体积
346.52
ų
晶胞参数 a
8.2238
Å
晶胞参数 b
8.2238
Å
晶胞参数 c
8.2238
Å
α 角
137.50
°
β 角
104.88
°
γ 角
90.34
°
空间群
I222
点群
222
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oI
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-1.04717
eV/atom
能量/原子
-35.86821
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-35.8682
eV/atom
体积/原子
17.33
ų
c/a 比
1.0000

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0001
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Si · 0.500
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.500
间隙分数
0.500
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1648
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.6843
J/mol·K
Ω 参数
4.2482
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
17.609%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3132
越小混合越稳定
VEC
5.050
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-4.825
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8402
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3322379
参考引用

The crystal structure and related material properties of Th4Si10Ir5Os were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3322379, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Th4Si10Ir5Os
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.22383706
_cell_length_b   8.22383592
_cell_length_c   8.22383593
_cell_angle_alpha   137.50353947
_cell_angle_beta   104.87680717
_cell_angle_gamma   90.34030399
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th4Si10Ir5Os
_chemical_formula_sum   'Th4 Si10 Ir5 Os1'
_cell_volume   346.52054573
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.86050402  0.63063974  0.23248365  1.0
  Th  Th1  1  0.13949698  0.37197864  0.77013572  1.0
  Th  Th2  1  0.39815608  0.12802136  0.26751635  1.0
  Th  Th3  1  0.60184392  0.86936026  0.72986428  1.0
  Si  Si4  1  0.50000000  0.75000000  0.25000000  1.0
  Si  Si5  1  0.50000000  0.25000000  0.75000000  1.0
  Si  Si6  1  0.22745502  0.97745502  0.75000000  1.0
  Si  Si7  1  0.77254498  0.52254498  0.75000000  1.0
  Si  Si8  1  0.77083953  0.02083953  0.25000000  1.0
  Si  Si9  1  0.22916047  0.47916047  0.25000000  1.0
  Si  Si10  1  0.04104610  0.89078970  0.14751315  1.0
  Si  Si11  1  0.95895390  0.10646806  0.84974360  1.0
  Si  Si12  1  0.74327654  0.39353194  0.35248685  1.0
  Si  Si13  1  0.25672346  0.60921030  0.65025640  1.0
  Ir  Ir14  1  0.00000000  0.25000000  0.25000000  1.0
  Ir  Ir15  1  0.24615102  0.86224646  0.38626928  1.0
  Ir  Ir16  1  0.75384898  0.14012026  0.61609744  1.0
  Ir  Ir17  1  0.47597619  0.35987974  0.11373072  1.0
  Ir  Ir18  1  0.52402381  0.63775354  0.88390256  1.0
  Os  Os19  1  0.00000000  0.75000000  0.75000000  1.0
获取直接链接