导航

HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ac3Nd(InSi2)2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3322988 · 空间群: P2/m (#10)

基础信息

化学式
Ac3Nd(InSi2)2
MP-ID
mp-3322988
元素数
4
位点数
20
密度
7.1143
g/cm³
体积
544.88
ų
晶胞参数 a
4.4745
Å
晶胞参数 b
7.9866
Å
晶胞参数 c
15.2486
Å
α 角
90.68
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
P2/m
点群
2/m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mP
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
11.08 7.9860 1.0 (0,1,0)
12.45 7.1090 3.2 (0,1,-1)
16.17 5.4822 1.4 (0,1,2)
19.84 4.4745 46.2 (1,0,0)
22.26 3.9930 8.6 (0,2,0)
22.78 3.9035 1.7 (1,1,0)
22.96 3.8740 5.4 (0,2,-1)
23.05 3.8589 2.5 (1,0,2)
23.09 3.8516 9.0 (0,2,1)
23.34 3.8119 12.4 (0,0,4)
23.56 3.7764 13.5 (1,1,1)
25.05 3.5545 29.2 (0,2,-2)
25.30 3.5202 15.5 (0,2,2)
25.58 3.4827 1.8 (1,1,-2)
25.70 3.4665 14.1 (1,1,2)
25.78 3.4560 32.5 (0,1,-4)
26.02 3.4244 19.3 (0,1,4)
28.26 3.1580 7.9 (0,2,-3)
28.59 3.1221 15.3 (0,2,3)
28.76 3.1045 20.2 (1,1,-3)
28.92 3.0872 17.8 (1,1,3)
29.29 3.0495 1.4 (0,0,5)
29.99 2.9792 55.6 (1,2,0)
30.52 2.9288 47.9 (1,2,-1)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.68201
eV/atom
能量/原子
-32.24027
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-32.2403
eV/atom
体积/原子
27.24
ų
c/a 比
3.4079

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0026
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Si · 0.400
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.600
间隙分数
0.400
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2799
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.6407
J/mol·K
Ω 参数
1.5133
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
21.774%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3702
越小混合越稳定
VEC
3.100
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-9.052
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9232
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3322988
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ac3Nd(InSi2)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3322988, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ac3Nd(InSi2)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.47448338
_cell_length_b   7.98657142
_cell_length_c   15.24856527
_cell_angle_alpha   90.67561194
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ac3Nd(InSi2)2
_chemical_formula_sum   'Ac6 Nd2 In4 Si8'
_cell_volume   544.88150696
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ac  Ac0  1  0.50000000  0.74652673  0.03877630  1.0
  Ac  Ac1  1  0.50000000  0.25347327  0.96122370  1.0
  Ac  Ac2  1  0.50000000  0.24392323  0.46987500  1.0
  Ac  Ac3  1  0.50000000  0.75607677  0.53012500  1.0
  Ac  Ac4  1  0.50000000  0.61389857  0.28031597  1.0
  Ac  Ac5  1  0.50000000  0.38610143  0.71968403  1.0
  Nd  Nd6  1  0.50000000  0.11675509  0.21450156  1.0
  Nd  Nd7  1  0.50000000  0.88324491  0.78549844  1.0
  In  In8  1  0.00000000  0.95454781  0.36561453  1.0
  In  In9  1  0.00000000  0.04545219  0.63438547  1.0
  In  In10  1  0.00000000  0.41360789  0.12718871  1.0
  In  In11  1  0.00000000  0.58639211  0.87281129  1.0
  Si  Si12  1  0.00000000  0.53620582  0.42313863  1.0
  Si  Si13  1  0.00000000  0.46379418  0.57686137  1.0
  Si  Si14  1  0.00000000  0.05707227  0.07548239  1.0
  Si  Si15  1  0.00000000  0.94292773  0.92451761  1.0
  Si  Si16  1  0.00000000  0.85149546  0.18752360  1.0
  Si  Si17  1  0.00000000  0.14850454  0.81247640  1.0
  Si  Si18  1  0.00000000  0.31204745  0.31486494  1.0
  Si  Si19  1  0.00000000  0.68795255  0.68513506  1.0
获取直接链接