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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Th4Si10(OsPt)3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3323022 · 空间群: Cm (#8)

基础信息

化学式
Th4Si10(OsPt)3
MP-ID
mp-3323022
元素数
4
位点数
20
密度
11.2344
g/cm³
体积
349.56
ų
晶胞参数 a
8.2231
Å
晶胞参数 b
8.2427
Å
晶胞参数 c
8.2427
Å
α 角
137.20
°
β 角
105.04
°
γ 角
90.43
°
空间群
Cm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mC
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
15.28 5.7996 3.6 (1,1,-1)
17.70 5.0099 4.8 (1,-1,1)
23.06 3.8567 9.5 (1,1,-2)
23.09 3.8512 4.5 (2,0,-1)
23.09 3.8512 4.5 (1,1,0)
23.43 3.7964 5.6 (0,2,-2)
23.50 3.7860 5.7 (2,0,0)
24.35 3.6560 11.7 (1,-2,1)
24.38 3.6513 6.0 (2,-1,0)
24.38 3.6513 6.0 (1,0,1)
24.66 3.6105 28.8 (1,2,-2)
24.70 3.6038 28.1 (2,1,-1)
27.78 3.2119 16.8 (1,-2,2)
27.82 3.2071 16.4 (2,-1,1)
29.70 3.0077 41.5 (1,-1,-1)
30.84 2.8998 35.3 (2,2,-2)
32.01 2.7963 23.6 (1,0,-2)
32.02 2.7953 11.8 (2,-1,-1)
32.02 2.7953 11.8 (0,1,1)
32.79 2.7309 1.0 (0,3,-2)
33.56 2.6700 9.1 (2,0,-2)
34.35 2.6106 88.1 (1,-3,2)
34.42 2.6056 43.4 (3,-1,0)
34.42 2.6056 43.4 (2,0,1)
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能量属性

形成能/原子
-0.96181
eV/atom
能量/原子
-35.71469
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-35.7147
eV/atom
体积/原子
17.48
ų
c/a 比
1.0024

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0038
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Si · 0.500
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.500
间隙分数
0.500
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2376
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.2894
J/mol·K
Ω 参数
2.6108
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
17.592%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3269
越小混合越稳定
VEC
5.100
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-8.152
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8927
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3323022
参考引用

The crystal structure and related material properties of Th4Si10(OsPt)3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3323022, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Th4Si10(OsPt)3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.22312989
_cell_length_b   8.24267052
_cell_length_c   8.24267042
_cell_angle_alpha   137.19788419
_cell_angle_beta   105.03530723
_cell_angle_gamma   90.43051650
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th4Si10(OsPt)3
_chemical_formula_sum   'Th4 Si10 Os3 Pt3'
_cell_volume   349.55812439
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.86289943  0.63014006  0.23275937  1.0
  Th  Th1  1  0.14082393  0.37195961  0.76886333  1.0
  Th  Th2  1  0.39500299  0.12840107  0.26660192  1.0
  Th  Th3  1  0.60117158  0.87003795  0.73113364  1.0
  Si  Si4  1  0.49493746  0.75241733  0.25510958  1.0
  Si  Si5  1  0.49493746  0.23982787  0.74252012  1.0
  Si  Si6  1  0.22479094  0.97310621  0.74473690  1.0
  Si  Si7  1  0.77619727  0.52617328  0.74948146  1.0
  Si  Si8  1  0.77619727  0.02671481  0.25002399  1.0
  Si  Si9  1  0.22479094  0.48005404  0.25168473  1.0
  Si  Si10  1  0.04264173  0.89319951  0.14944222  1.0
  Si  Si11  1  0.96253190  0.10759519  0.85493671  1.0
  Si  Si12  1  0.74743664  0.39253103  0.35490561  1.0
  Si  Si13  1  0.25444963  0.60726343  0.64718620  1.0
  Os  Os14  1  0.00029349  0.75125428  0.75015818  1.0
  Os  Os15  1  0.00029349  0.25013531  0.24903921  1.0
  Os  Os16  1  0.24454241  0.86003491  0.38450850  1.0
  Pt  Pt17  1  0.75154824  0.13927422  0.61227303  1.0
  Pt  Pt18  1  0.47626025  0.36145613  0.11480412  1.0
  Pt  Pt19  1  0.52825396  0.63842276  0.88983120  1.0
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