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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ho4Si8Tc5Mo

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3323156 · 空间群: P1 (#1)

基础信息

化学式
Ho4Si8Tc5Mo
MP-ID
mp-3323156
元素数
4
位点数
18
密度
8.4508
g/cm³
体积
288.92
ų
晶胞参数 a
6.7861
Å
晶胞参数 b
6.6744
Å
晶胞参数 c
6.7750
Å
α 角
70.31
°
β 角
89.98
°
γ 角
89.94
°
空间群
P1
点群
1
晶体系统
Triclinic
Bravais 格子
aP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.76406
eV/atom
能量/原子
-20.63133
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-20.6313
eV/atom
体积/原子
16.05
ų
c/a 比
0.9984

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0142
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000050
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Si · 0.444
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.556
间隙分数
0.444
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2110
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.0686
J/mol·K
Ω 参数
6.6978
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
16.415%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2923
越小混合越稳定
VEC
5.944
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-2.963
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8736
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3323156
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho4Si8Tc5Mo were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3323156, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho4Si8Tc5Mo
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.78608983
_cell_length_b   6.67442567
_cell_length_c   6.77495966
_cell_angle_alpha   70.30929850
_cell_angle_beta   89.98402085
_cell_angle_gamma   89.94361584
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho4Si8Tc5Mo
_chemical_formula_sum   'Ho4 Si8 Tc5 Mo1'
_cell_volume   288.91625382
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.66861087  0.44006305  0.19293140  1.0
  Ho  Ho1  1  0.16803078  0.05800197  0.80959455  1.0
  Ho  Ho2  1  0.33205586  0.55984530  0.80741169  1.0
  Ho  Ho3  1  0.83066297  0.93960339  0.19443376  1.0
  Si  Si4  1  0.45204704  0.12387071  0.09960956  1.0
  Si  Si5  1  0.94984941  0.38035713  0.89500020  1.0
  Si  Si6  1  0.55068337  0.87895551  0.89600233  1.0
  Si  Si7  1  0.04543792  0.62121367  0.09908435  1.0
  Si  Si8  1  0.85995969  0.13226062  0.51311372  1.0
  Si  Si9  1  0.36199866  0.36482699  0.48981257  1.0
  Si  Si10  1  0.13823429  0.87152525  0.49003308  1.0
  Si  Si11  1  0.64068817  0.62827332  0.51424307  1.0
  Tc  Tc12  1  0.50143575  0.99963478  0.49892577  1.0
  Tc  Tc13  1  0.99963136  0.49706651  0.50053674  1.0
  Tc  Tc14  1  0.15596855  0.24530107  0.23523794  1.0
  Tc  Tc15  1  0.65368754  0.25679818  0.76437281  1.0
  Tc  Tc16  1  0.84869929  0.75939235  0.75872480  1.0
  Mo  Mo17  1  0.34232049  0.74300920  0.24093267  1.0
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