Ho3InGa8Os3
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3323232 · 空间群: Pm-3m (#221)
基础信息
化学式
Ho3InGa8Os3
MP-ID
mp-3323232
元素数
4
位点数
15
密度
11.0122
g/cm³
体积
262.09
ų
晶胞参数 a
6.3995
Å
晶胞参数 b
6.3995
Å
晶胞参数 c
6.3995
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pm-3m
点群
m-3m
晶体系统
Cubic
Bravais 格子
cP
稳定性
Yes
堆积分数
0.5236
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 19.62 | 4.5252 | 8.6 | (1,1,0) |
| 24.09 | 3.6948 | 3.0 | (1,1,1) |
| 27.88 | 3.1998 | 20.9 | (2,0,0) |
| 31.25 | 2.8620 | 7.5 | (2,1,0) |
| 34.32 | 2.6126 | 8.1 | (2,1,1) |
| 39.84 | 2.2626 | 100.0 | (2,2,0) |
| 42.37 | 2.1332 | 4.1 | (2,2,1) |
| 44.78 | 2.0237 | 6.3 | (3,1,0) |
| 47.10 | 1.9295 | 2.2 | (3,1,1) |
| 49.33 | 1.8474 | 8.5 | (2,2,2) |
| 51.49 | 1.7749 | 2.5 | (3,2,0) |
| 53.58 | 1.7104 | 1.4 | (3,2,1) |
| 57.61 | 1.5999 | 14.1 | (4,0,0) |
| 59.56 | 1.5521 | 3.7 | (3,2,2) |
| 61.47 | 1.5084 | 1.0 | (4,1,1) |
| 65.20 | 1.4310 | 15.0 | (4,2,0) |
| 68.81 | 1.3644 | 3.5 | (3,3,2) |
| 72.34 | 1.3063 | 25.9 | (4,2,2) |
| 74.07 | 1.2799 | 1.7 | (4,3,0) |
| 75.80 | 1.2551 | 2.1 | (5,1,0) |
| 80.89 | 1.1884 | 3.2 | (5,2,0) |
| 82.57 | 1.1684 | 2.4 | (5,2,1) |
| 85.91 | 1.1313 | 7.6 | (4,4,0) |
| 89.24 | 1.0975 | 3.1 | (4,3,3) |
能量属性
形成能/原子
-0.56357
eV/atom
能量/原子
-25.34493
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-25.3449
eV/atom
体积/原子
17.47
ų
c/a 比
1.0000
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0849
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000320
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.533
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.467
间隙分数
0.000
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1596
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
9.6407
J/mol·K
Ω 参数
28.4112
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
11.644%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3101
越小混合越稳定
VEC
5.600
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
0.407
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8365
固溶体倾向
0
相趋势
IM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3323232
参考引用
The crystal structure and related material properties of Ho3InGa8Os3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3323232, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho3InGa8Os3
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 6.39953653
_cell_length_b 6.39953653
_cell_length_c 6.39953653
_cell_angle_alpha 90.00000000
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Ho3InGa8Os3
_chemical_formula_sum 'Ho3 In1 Ga8 Os3'
_cell_volume 262.08705314
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ho Ho0 1 0.50000000 0.00000000 0.00000000 1.0
Ho Ho1 1 0.00000000 0.50000000 0.00000000 1.0
Ho Ho2 1 0.00000000 0.00000000 0.50000000 1.0
In In3 1 0.00000000 0.00000000 0.00000000 1.0
Ga Ga4 1 0.29085188 0.29085188 0.29085188 1.0
Ga Ga5 1 0.70914812 0.70914812 0.70914812 1.0
Ga Ga6 1 0.70914812 0.70914812 0.29085188 1.0
Ga Ga7 1 0.70914812 0.29085188 0.70914812 1.0
Ga Ga8 1 0.29085188 0.29085188 0.70914812 1.0
Ga Ga9 1 0.29085188 0.70914812 0.29085188 1.0
Ga Ga10 1 0.29085188 0.70914812 0.70914812 1.0
Ga Ga11 1 0.70914812 0.29085188 0.29085188 1.0
Os Os12 1 0.00000000 0.50000000 0.50000000 1.0
Os Os13 1 0.50000000 0.00000000 0.50000000 1.0
Os Os14 1 0.50000000 0.50000000 0.00000000 1.0
