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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

MP-ID: mp-3323586 · 空间群: Imm2 (#44)

基础信息

化学式
Y3(Ga2Si)2
MP-ID
mp-3323586
元素数
3
位点数
18
密度
5.5436
g/cm³
体积
360.52
ų
晶胞参数 a
4.0727
Å
晶胞参数 b
4.1384
Å
晶胞参数 c
21.5864
Å
α 角
84.50
°
β 角
84.59
°
γ 角
90.00
°
空间群
Imm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oI
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.75406
eV/atom
能量/原子
-14.56066
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-14.5607
eV/atom
体积/原子
20.03
ų
c/a 比
5.3002

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0042
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.444
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.556
间隙分数
0.222
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0609
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.8200
J/mol·K
Ω 参数
0.2965
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
17.137%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2943
越小混合越稳定
VEC
3.222
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-32.992
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9656
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3323586
参考引用

The crystal structure and related material properties of Y3(Ga2Si)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3323586, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Y3(Ga2Si)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.07272173
_cell_length_b   4.13836518
_cell_length_c   21.58634674
_cell_angle_alpha   84.49941605
_cell_angle_beta   84.58691829
_cell_angle_gamma   90.00001325
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Y3(Ga2Si)2
_chemical_formula_sum   'Y6 Ga8 Si4'
_cell_volume   360.51976291
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Y  Y0  1  0.95830053  0.70830053  0.08339894  1.0
  Y  Y1  1  0.29093288  0.04093288  0.41813523  1.0
  Y  Y2  1  0.62366122  0.37366122  0.75267656  1.0
  Y  Y3  1  0.37674115  0.62674115  0.24651769  1.0
  Y  Y4  1  0.70917937  0.95917937  0.58163925  1.0
  Y  Y5  1  0.04132217  0.29132217  0.91735565  1.0
  Ga  Ga6  1  0.82013615  0.57013615  0.35972769  1.0
  Ga  Ga7  1  0.15270774  0.90270774  0.69458452  1.0
  Ga  Ga8  1  0.43134901  0.18134901  0.13730298  1.0
  Ga  Ga9  1  0.76454424  0.51454424  0.47091151  1.0
  Ga  Ga10  1  0.09706606  0.84706606  0.80586787  1.0
  Ga  Ga11  1  0.84777696  0.09777696  0.30444607  1.0
  Ga  Ga12  1  0.18041045  0.43041045  0.63917909  1.0
  Ga  Ga13  1  0.51352652  0.76352652  0.97294596  1.0
  Si  Si14  1  0.90265447  0.15265447  0.19469206  1.0
  Si  Si15  1  0.23536002  0.48536002  0.52928096  1.0
  Si  Si16  1  0.56830540  0.81830540  0.86338719  1.0
  Si  Si17  1  0.48602461  0.23602461  0.02794877  1.0
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