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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

MP-ID: mp-3323655 · 空间群: P6_3/mcm (#193)

基础信息

化学式
Th5SiSb3
MP-ID
mp-3323655
元素数
3
位点数
18
密度
10.0999
g/cm³
体积
510.85
ų
晶胞参数 a
9.5239
Å
晶胞参数 b
9.5238
Å
晶胞参数 c
6.5033
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.00
°
空间群
P6_3/mcm
点群
6/mmm
晶体系统
Hexagonal
Bravais 格子
hP
稳定性
Yes
堆积分数
0.7405

能量属性

形成能/原子
-0.94638
eV/atom
能量/原子
-51.30960
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-51.3096
eV/atom
体积/原子
28.38
ų
c/a 比
0.6828

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0302
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000060
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Th · 0.556
元素家族
Actinide
溶质分数
0.444
间隙分数
0.111
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9369
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
7.7893
J/mol·K
Ω 参数
15.4778
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
13.872%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3567
越小混合越稳定
VEC
3.222
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-0.837
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8528
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3323655
参考引用

The crystal structure and related material properties of Th5SiSb3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3323655, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Th5SiSb3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   9.52387078
_cell_length_b   9.52383635
_cell_length_c   6.50324568
_cell_angle_alpha   89.99986399
_cell_angle_beta   90.00013562
_cell_angle_gamma   119.99906022
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th5SiSb3
_chemical_formula_sum   'Th10 Si2 Sb6'
_cell_volume   510.84638425
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.33334053  0.66665747  0.00000100  1.0
  Th  Th1  1  0.66665947  0.33333953  0.00000000  1.0
  Th  Th2  1  0.00000431  0.25971280  0.25001094  1.0
  Th  Th3  1  0.25971180  0.00000331  0.25000894  1.0
  Th  Th4  1  0.74027991  0.74027991  0.25000507  1.0
  Th  Th5  1  0.33333657  0.66666043  0.50000200  1.0
  Th  Th6  1  0.66666143  0.33333757  0.50000100  1.0
  Th  Th7  1  0.74028920  0.99999769  0.74999206  1.0
  Th  Th8  1  0.99999569  0.74029020  0.74999106  1.0
  Th  Th9  1  0.25972109  0.25972209  0.74999793  1.0
  Si  Si10  1  0.00000100  0.00000100  0.00000000  1.0
  Si  Si11  1  0.00000100  0.00000200  0.50000100  1.0
  Sb  Sb12  1  0.61051385  0.99999614  0.25000210  1.0
  Sb  Sb13  1  0.99999514  0.61051385  0.25000110  1.0
  Sb  Sb14  1  0.38948872  0.38948872  0.25000771  1.0
  Sb  Sb15  1  0.61051228  0.61051228  0.74999429  1.0
  Sb  Sb16  1  0.00000086  0.38948715  0.74999890  1.0
  Sb  Sb17  1  0.38948515  0.00000086  0.74999990  1.0
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