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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ho2Lu(GaNi4)3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3323709 · 空间群: P6/mmm (#191)

基础信息

化学式
Ho2Lu(GaNi4)3
MP-ID
mp-3323709
元素数
4
位点数
18
密度
9.6637
g/cm³
体积
243.71
ų
晶胞参数 a
8.3996
Å
晶胞参数 b
8.3996
Å
晶胞参数 c
3.9887
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.00
°
空间群
P6/mmm
点群
6/mmm
晶体系统
Hexagonal
Bravais 格子
hP
稳定性
Yes
堆积分数
0.7405

能量属性

形成能/原子
-0.48859
eV/atom
能量/原子
-16.15256
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-16.1526
eV/atom
体积/原子
13.54
ų
c/a 比
0.4749

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
Yes
总磁矩
0.4594
μB
磁有序
FM
磁性位点数
6
磁化强度/体积
0.001890
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ni · 0.667
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.333
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9736
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.0949
J/mol·K
Ω 参数
1.3679
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
13.865%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2439
越小混合越稳定
VEC
8.500
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-8.889
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7023
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3323709
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho2Lu(GaNi4)3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3323709, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho2Lu(GaNi4)3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.39960040
_cell_length_b   8.39959942
_cell_length_c   3.98871729
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.00000001
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho2Lu(GaNi4)3
_chemical_formula_sum   'Ho2 Lu1 Ga3 Ni12'
_cell_volume   243.71434235
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.33333300  0.66666700  0.00000000  1.0
  Ho  Ho1  1  0.66666700  0.33333300  0.00000000  1.0
  Lu  Lu2  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Ga  Ga3  1  0.50000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Ga  Ga4  1  0.00000000  0.50000000  0.50000000  1.0
  Ga  Ga5  1  0.50000000  0.50000000  0.50000000  1.0
  Ni  Ni6  1  0.32644952  0.00000000  0.00000000  1.0
  Ni  Ni7  1  0.67355048  1.00000000  0.00000000  1.0
  Ni  Ni8  1  1.00000000  0.32644952  0.00000000  1.0
  Ni  Ni9  1  0.00000000  0.67355048  0.00000000  1.0
  Ni  Ni10  1  0.67355048  0.67355048  0.00000000  1.0
  Ni  Ni11  1  0.32644952  0.32644952  0.00000000  1.0
  Ni  Ni12  1  0.16726602  0.33453205  0.50000000  1.0
  Ni  Ni13  1  0.83273398  0.66546795  0.50000000  1.0
  Ni  Ni14  1  0.66546795  0.83273398  0.50000000  1.0
  Ni  Ni15  1  0.33453205  0.16726602  0.50000000  1.0
  Ni  Ni16  1  0.16726602  0.83273398  0.50000000  1.0
  Ni  Ni17  1  0.83273398  0.16726602  0.50000000  1.0
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