Ga3Sn2(BIr3)2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3323843 · 空间群: P-62m (#189)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ga3Sn2(BIr3)2

MP-ID

mp-3323843

元素数

位点数

密度

13.6719

g/cm³

体积

196.94

Å³

晶胞参数 a

6.4005

晶胞参数 b

6.4005

晶胞参数 c

5.5511

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P-62m

点群

-6m2

晶体系统

Hexagonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
15.99	5.5430	19.2	(1,0,-1,0)
22.67	3.9224	3.3	(1,0,-1,1)
27.88	3.2003	31.2	(1,1,-2,0)
27.88	3.2003	62.5	(2,-1,-1,0)
32.25	2.7756	17.9	(0,0,0,2)
32.29	2.7725	11.8	(1,1,-2,1)
32.29	2.7725	23.6	(2,-1,-1,1)
32.30	2.7715	5.2	(0,2,-2,0)
32.30	2.7715	10.3	(2,0,-2,0)
36.19	2.4818	27.2	(1,0,-1,2)
36.19	2.4818	13.6	(1,-1,0,2)
36.23	2.4796	3.7	(0,2,-2,1)
36.23	2.4796	7.5	(2,0,-2,1)
43.14	2.0968	100.0	(1,1,-2,2)
43.14	2.0968	50.0	(2,-1,-1,2)
43.18	2.0951	90.9	(3,-1,-2,0)
46.29	1.9612	13.6	(2,0,-2,2)
46.32	1.9601	3.9	(3,-1,-2,1)
49.32	1.8477	34.6	(3,0,-3,0)
52.18	1.7531	1.2	(3,0,-3,1)
54.91	1.6722	43.2	(3,-1,-2,2)
57.54	1.6019	2.3	(1,1,-2,3)
57.54	1.6019	4.6	(2,-1,-1,3)
60.13	1.5389	1.6	(2,0,-2,3)

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能量属性

形成能/原子

-0.42897

eV/atom

能量/原子

-32.17278

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-32.1728

eV/atom

体积/原子

15.15

Å³

c/a 比

0.8673

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0018

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000010

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ir · 0.462

元素家族

5d-TM

溶质分数

0.538

间隙分数

0.154

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.2712

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.5686

J/mol·K

Ω 参数

2.3574

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

13.980%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.1579

越小混合越稳定

VEC

5.923

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-7.949

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9170

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahhcyd

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3323843

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ga3Sn2(BIr3)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3323843, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ga3Sn2(BIr3)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.40051056
_cell_length_b   6.40051098
_cell_length_c   5.55114113
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.99999282
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ga3Sn2(BIr3)2
_chemical_formula_sum   'Ga3 Sn2 B2 Ir6'
_cell_volume   196.94374755
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ga  Ga0  1  1.00000000  0.59867468  0.00000000  1.0
  Ga  Ga1  1  0.40132532  0.40132532  0.00000000  1.0
  Ga  Ga2  1  0.59867468  1.00000000  0.00000000  1.0
  Sn  Sn3  1  0.66666700  0.33333300  0.50000000  1.0
  Sn  Sn4  1  0.33333300  0.66666700  0.50000000  1.0
  B  B5  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  B  B6  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Ir  Ir7  1  1.00000000  0.26333049  0.74911226  1.0
  Ir  Ir8  1  1.00000000  0.26333049  0.25088774  1.0
  Ir  Ir9  1  0.73666951  0.73666951  0.25088774  1.0
  Ir  Ir10  1  0.26333049  1.00000000  0.74911226  1.0
  Ir  Ir11  1  0.26333049  1.00000000  0.25088774  1.0
  Ir  Ir12  1  0.73666951  0.73666951  0.74911226  1.0

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