Dy2Th3Si3C

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3325073 · 空间群: P6_3/mcm (#193)

Materials Project API

基础信息

化学式

Dy2Th3Si3C

MP-ID

mp-3325073

元素数

位点数

密度

8.7522

g/cm³

体积

424.00

Å³

晶胞参数 a

8.7345

晶胞参数 b

8.7345

晶胞参数 c

6.4173

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P6_3/mcm

点群

6/mmm

晶体系统

Hexagonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
11.70	7.5643	11.2	(1,0,-1,0)
20.33	4.3673	5.2	(2,-1,-1,0)
23.52	3.7822	15.6	(2,0,-2,0)
23.52	3.7822	7.8	(0,2,-2,0)
24.66	3.6105	48.1	(2,-1,-1,1)
27.80	3.2087	9.6	(0,0,0,2)
30.26	2.9539	41.2	(1,0,-1,2)
31.29	2.8590	13.8	(3,-1,-2,0)
31.29	2.8590	27.7	(2,1,-3,0)
34.34	2.6116	100.0	(3,-1,-2,1)
34.69	2.5858	53.1	(2,-1,-1,2)
35.61	2.5214	18.1	(3,0,-3,0)
42.34	2.1346	3.0	(3,-1,-2,2)
43.79	2.0672	4.4	(4,-2,-2,1)
45.77	1.9826	3.3	(3,0,-3,2)
47.32	1.9211	9.0	(2,-1,-1,3)
48.12	1.8911	8.1	(4,0,-4,0)
50.56	1.8053	20.2	(4,-2,-2,2)
52.08	1.7559	8.8	(4,-1,-3,2)
52.75	1.7354	4.5	(5,-2,-3,0)
53.50	1.7128	9.7	(3,-1,-2,3)
53.50	1.7128	19.3	(2,1,-3,3)
54.80	1.6752	4.4	(5,-2,-3,1)
54.80	1.6752	8.8	(3,2,-5,1)

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能量属性

形成能/原子

-0.71303

eV/atom

能量/原子

-36.34168

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-36.3417

eV/atom

体积/原子

23.56

Å³

c/a 比

0.7347

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

Yes

总磁矩

0.6826

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.001610

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Th · 0.333

元素家族

Actinide

溶质分数

0.667

间隙分数

0.444

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.3108

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.8979

J/mol·K

Ω 参数

15.1935

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

25.379%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.4381

越小混合越稳定

VEC

4.667

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-1.481

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9455

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahhetl

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3325073

参考引用

The crystal structure and related material properties of Dy2Th3Si3C were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3325073, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Dy2Th3Si3C
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.73452481
_cell_length_b   8.73452465
_cell_length_c   6.41732681
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.00000060
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Dy2Th3Si3C
_chemical_formula_sum   'Dy4 Th6 Si6 C2'
_cell_volume   423.99754649
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Dy  Dy0  1  0.66666700  0.33333300  0.00000000  1.0
  Dy  Dy1  1  0.33333300  0.66666700  0.00000000  1.0
  Dy  Dy2  1  0.33333300  0.66666700  0.50000000  1.0
  Dy  Dy3  1  0.66666700  0.33333300  0.50000000  1.0
  Th  Th4  1  0.76629176  0.76629176  0.75000000  1.0
  Th  Th5  1  0.23370824  0.00000000  0.75000000  1.0
  Th  Th6  1  0.00000000  0.23370824  0.75000000  1.0
  Th  Th7  1  0.23370824  0.23370824  0.25000000  1.0
  Th  Th8  1  0.76629176  0.00000000  0.25000000  1.0
  Th  Th9  1  0.00000000  0.76629176  0.25000000  1.0
  Si  Si10  1  0.40201350  0.40201350  0.75000000  1.0
  Si  Si11  1  0.59798650  0.00000000  0.75000000  1.0
  Si  Si12  1  0.00000000  0.59798650  0.75000000  1.0
  Si  Si13  1  0.59798650  0.59798650  0.25000000  1.0
  Si  Si14  1  0.40201350  0.00000000  0.25000000  1.0
  Si  Si15  1  0.00000000  0.40201350  0.25000000  1.0
  C  C16  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  C  C17  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0

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