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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Th5GaSnSb2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3325919 · 空间群: Amm2 (#38)

基础信息

化学式
Th5GaSnSb2
MP-ID
mp-3325919
元素数
4
位点数
18
密度
10.1972
g/cm³
体积
518.54
ų
晶胞参数 a
9.5606
Å
晶胞参数 b
9.5690
Å
晶胞参数 c
6.5428
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
119.97
°
空间群
Amm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.82931
eV/atom
能量/原子
-51.38241
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-51.3824
eV/atom
体积/原子
28.81
ų
c/a 比
0.6844

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0016
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Th · 0.556
元素家族
Actinide
溶质分数
0.444
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1491
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.5533
J/mol·K
Ω 参数
9.2841
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
11.155%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3381
越小混合越稳定
VEC
3.000
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-1.508
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8289
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3325919
参考引用

The crystal structure and related material properties of Th5GaSnSb2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3325919, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Th5GaSnSb2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   9.56062239
_cell_length_b   9.56899991
_cell_length_c   6.54277152
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.96927452
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th5GaSnSb2
_chemical_formula_sum   'Th10 Ga2 Sn2 Sb4'
_cell_volume   518.53667815
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.99972299  0.26258722  0.25000000  1.0
  Th  Th1  1  0.73393421  0.00001038  0.75000000  1.0
  Th  Th2  1  0.73711851  0.73738202  0.25000000  1.0
  Th  Th3  1  0.66679097  0.33331888  0.50088800  1.0
  Th  Th4  1  0.00004790  0.73504258  0.75000000  1.0
  Th  Th5  1  0.26500825  0.26494969  0.75000000  1.0
  Th  Th6  1  0.33348363  0.66670358  0.99911513  1.0
  Th  Th7  1  0.66679097  0.33331888  0.99911200  1.0
  Th  Th8  1  0.33348363  0.66670358  0.50088487  1.0
  Th  Th9  1  0.26298745  0.00000977  0.25000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.99971109  0.00000185  0.99629459  1.0
  Ga  Ga11  1  0.99971109  0.00000185  0.50370541  1.0
  Sn  Sn12  1  0.99993536  0.38444165  0.75000000  1.0
  Sn  Sn13  1  0.61547182  0.61557439  0.75000000  1.0
  Sb  Sb14  1  0.61383821  0.00000122  0.25000000  1.0
  Sb  Sb15  1  0.38565253  0.99998817  0.75000000  1.0
  Sb  Sb16  1  0.38677501  0.38723606  0.25000000  1.0
  Sb  Sb17  1  0.99953638  0.61272822  0.25000000  1.0
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