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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Dy10GaSi3Bi4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3325938 · 空间群: Cm (#8)

基础信息

化学式
Dy10GaSi3Bi4
MP-ID
mp-3325938
元素数
4
位点数
18
密度
8.9625
g/cm³
体积
484.48
ų
晶胞参数 a
8.6260
Å
晶胞参数 b
8.6260
Å
晶胞参数 c
7.9608
Å
α 角
89.75
°
β 角
89.75
°
γ 角
125.12
°
空间群
Cm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mC
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
11.56 7.6556 8.6 (1,-1,0)
16.72 5.3021 12.0 (1,0,1)
16.86 5.2581 18.5 (1,0,-1)
22.34 3.9802 21.3 (0,0,2)
22.37 3.9747 20.7 (1,1,0)
23.24 3.8278 12.4 (2,-2,0)
23.49 3.7879 3.4 (2,-1,1)
23.59 3.7717 1.3 (2,-1,-1)
24.94 3.5696 43.4 (1,1,1)
25.14 3.5427 41.8 (1,1,-1)
25.22 3.5315 20.6 (1,-1,2)
25.25 3.5276 10.4 (0,2,0)
25.25 3.5276 10.4 (2,0,0)
25.60 3.4791 37.4 (1,0,2)
25.79 3.4542 36.1 (1,0,-2)
30.54 2.9268 21.9 (1,-2,-2)
30.54 2.9268 21.9 (2,-1,2)
30.70 2.9119 20.8 (1,-2,2)
30.70 2.9119 20.8 (2,-1,-2)
31.66 2.8259 71.3 (1,1,2)
31.97 2.7993 60.3 (1,1,-2)
32.45 2.7590 99.6 (2,-2,2)
32.47 2.7572 49.8 (1,-3,0)
32.47 2.7572 49.8 (3,-1,0)
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能量属性

形成能/原子
-0.91665
eV/atom
能量/原子
-33.78283
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-33.7828
eV/atom
体积/原子
26.92
ų
c/a 比
0.9229

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0714
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000150
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Dy · 0.556
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.444
间隙分数
0.167
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1200
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.3116
J/mol·K
Ω 参数
11.7040
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
13.537%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3657
越小混合越稳定
VEC
7.500
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-1.076
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8079
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3325938
参考引用

The crystal structure and related material properties of Dy10GaSi3Bi4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3325938, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Dy10GaSi3Bi4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.62604190
_cell_length_b   8.62604317
_cell_length_c   7.96077841
_cell_angle_alpha   89.75059641
_cell_angle_beta   89.75059234
_cell_angle_gamma   125.12226497
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Dy10GaSi3Bi4
_chemical_formula_sum   'Dy10 Ga1 Si3 Bi4'
_cell_volume   484.47734479
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Dy  Dy0  1  0.04151717  0.28594642  0.33664993  1.0
  Dy  Dy1  1  0.95794950  0.71594168  0.66321239  1.0
  Dy  Dy2  1  0.45899645  0.21158839  0.83544016  1.0
  Dy  Dy3  1  0.78719203  0.54067356  0.16348882  1.0
  Dy  Dy4  1  0.54067356  0.78719203  0.16348882  1.0
  Dy  Dy5  1  0.21158839  0.45899645  0.83544016  1.0
  Dy  Dy6  1  0.71594168  0.95794950  0.66321239  1.0
  Dy  Dy7  1  0.28594642  0.04151717  0.33664993  1.0
  Dy  Dy8  1  0.99920893  0.99920893  0.99962425  1.0
  Dy  Dy9  1  0.50102365  0.50102365  0.50137575  1.0
  Ga  Ga10  1  0.36542514  0.36542514  0.13304420  1.0
  Si  Si11  1  0.63284427  0.63284427  0.86759881  1.0
  Si  Si12  1  0.13941372  0.13941372  0.63680400  1.0
  Si  Si13  1  0.86247378  0.86247378  0.36149467  1.0
  Bi  Bi14  1  0.79214250  0.20447900  0.00023270  1.0
  Bi  Bi15  1  0.20447900  0.79214250  0.00023270  1.0
  Bi  Bi16  1  0.70836514  0.29482168  0.50100416  1.0
  Bi  Bi17  1  0.29482168  0.70836514  0.50100416  1.0
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