导航

HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Th3Ga8Os3Au

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3326374 · 空间群: Pm-3m (#221)

基础信息

化学式
Th3Ga8Os3Au
MP-ID
mp-3326374
元素数
4
位点数
15
密度
12.0120
g/cm³
体积
279.46
ų
晶胞参数 a
6.5379
Å
晶胞参数 b
6.5379
Å
晶胞参数 c
6.5379
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pm-3m
点群
m-3m
晶体系统
Cubic
Bravais 格子
cP
稳定性
Yes
堆积分数
0.5236

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 20)
2θd (Å)Ihkl
19.20 4.6230 4.5 (1,1,0)
27.28 3.2690 33.3 (2,0,0)
30.58 2.9239 16.4 (2,1,0)
33.58 2.6691 5.7 (2,1,1)
38.96 2.3115 100.0 (2,2,0)
41.43 2.1793 6.8 (2,2,1)
43.79 2.0675 5.2 (3,1,0)
48.22 1.8873 13.4 (2,2,2)
56.28 1.6345 14.0 (4,0,0)
58.18 1.5857 6.1 (3,2,2)
63.65 1.4619 23.2 (4,2,0)
65.42 1.4267 2.2 (4,2,1)
67.16 1.3939 3.1 (3,3,2)
70.57 1.3346 26.4 (4,2,2)
72.25 1.3076 1.8 (5,0,0)
73.92 1.2822 1.3 (4,3,1)
78.84 1.2141 4.1 (5,2,0)
80.46 1.1937 1.8 (5,2,1)
83.68 1.1558 7.9 (4,4,0)
86.87 1.1213 2.7 (5,3,0)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.55103
eV/atom
能量/原子
-35.31827
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-35.3183
eV/atom
体积/原子
18.63
ų
c/a 比
1.0000

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0004
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.533
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.467
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1596
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.6407
J/mol·K
Ω 参数
3.2623
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
12.337%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3426
越小混合越稳定
VEC
4.333
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-3.945
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8365
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3326374
参考引用

The crystal structure and related material properties of Th3Ga8Os3Au were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3326374, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Th3Ga8Os3Au
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.53792625
_cell_length_b   6.53792625
_cell_length_c   6.53792625
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th3Ga8Os3Au
_chemical_formula_sum   'Th3 Ga8 Os3 Au1'
_cell_volume   279.46025523
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.50000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Th  Th1  1  0.00000000  0.50000000  0.00000000  1.0
  Th  Th2  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Ga  Ga3  1  0.29792679  0.29792679  0.29792679  1.0
  Ga  Ga4  1  0.70207321  0.70207321  0.70207321  1.0
  Ga  Ga5  1  0.70207321  0.70207321  0.29792679  1.0
  Ga  Ga6  1  0.70207321  0.29792679  0.70207321  1.0
  Ga  Ga7  1  0.29792679  0.29792679  0.70207321  1.0
  Ga  Ga8  1  0.29792679  0.70207321  0.29792679  1.0
  Ga  Ga9  1  0.29792679  0.70207321  0.70207321  1.0
  Ga  Ga10  1  0.70207321  0.29792679  0.29792679  1.0
  Os  Os11  1  0.00000000  0.50000000  0.50000000  1.0
  Os  Os12  1  0.50000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Os  Os13  1  0.50000000  0.50000000  0.00000000  1.0
  Au  Au14  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
获取直接链接