Ho3Mg(Si4Tc3)2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3326917 · 空间群: P1 (#1)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ho3Mg(Si4Tc3)2

MP-ID

mp-3326917

元素数

位点数

密度

7.8624

g/cm³

体积

281.27

Å³

晶胞参数 a

6.7412

晶胞参数 b

6.5890

晶胞参数 c

6.7185

α 角

70.48

β 角

89.85

γ 角

90.00

空间群

点群

晶体系统

Triclinic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.69574

eV/atom

能量/原子

-18.96193

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-18.9619

eV/atom

体积/原子

15.63

Å³

c/a 比

0.9966

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0055

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000020

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Si · 0.444

元素家族

Metalloid-Nonmetal

溶质分数

0.556

间隙分数

0.444

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.1858

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.8589

J/mol·K

Ω 参数

9.4833

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

15.626%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2707

越小混合越稳定

VEC

5.389

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-1.975

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8554

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahhhmj

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3326917

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho3Mg(Si4Tc3)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3326917, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ho3Mg(Si4Tc3)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.74122336
_cell_length_b   6.58896514
_cell_length_c   6.71851832
_cell_angle_alpha   70.48264489
_cell_angle_beta   89.85031454
_cell_angle_gamma   90.00233220
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho3Mg(Si4Tc3)2
_chemical_formula_sum   'Ho3 Mg1 Si8 Tc6'
_cell_volume   281.27277105
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.16566647  0.06017287  0.80589882  1.0
  Ho  Ho1  1  0.33407500  0.55657446  0.80956094  1.0
  Ho  Ho2  1  0.83066421  0.94180112  0.19421437  1.0
  Mg  Mg3  1  0.67007733  0.45635049  0.18007626  1.0
  Si  Si4  1  0.45253525  0.12257359  0.10812452  1.0
  Si  Si5  1  0.94896989  0.37993415  0.90118071  1.0
  Si  Si6  1  0.54806393  0.87627459  0.90106479  1.0
  Si  Si7  1  0.04204921  0.61814678  0.10466953  1.0
  Si  Si8  1  0.85146193  0.14407906  0.50356431  1.0
  Si  Si9  1  0.37055043  0.36508350  0.48259373  1.0
  Si  Si10  1  0.14014415  0.86721028  0.48737342  1.0
  Si  Si11  1  0.64319611  0.62311856  0.50958466  1.0
  Tc  Tc12  1  0.50310076  0.00050427  0.49982618  1.0
  Tc  Tc13  1  0.99797726  0.49754024  0.50155295  1.0
  Tc  Tc14  1  0.15463996  0.24235937  0.23797841  1.0
  Tc  Tc15  1  0.65316736  0.25232055  0.77278650  1.0
  Tc  Tc16  1  0.84634950  0.76022210  0.76312915  1.0
  Tc  Tc17  1  0.34731226  0.73573501  0.23682172  1.0

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