导航

HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

CeV2Si2C

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3327472 · 空间群: P4/mmm (#123)

基础信息

化学式
CeV2Si2C
MP-ID
mp-3327472
元素数
4
位点数
6
密度
5.7225
g/cm³
体积
90.01
ų
晶胞参数 a
4.0672
Å
晶胞参数 b
4.0672
Å
晶胞参数 c
5.4411
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
P4/mmm
点群
4/mmm
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.68860
eV/atom
能量/原子
-15.10769
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-15.1077
eV/atom
体积/原子
15.00
ų
c/a 比
1.3378

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
Yes
总磁矩
2.1121
μB
磁有序
FM
磁性位点数
3
磁化强度/体积
0.023470
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.333
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.667
间隙分数
0.500
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3297
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
11.0548
J/mol·K
Ω 参数
0.3854
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
25.166%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.4285
越小混合越稳定
VEC
4.167
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-60.392
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9591
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3327472
参考引用

The crystal structure and related material properties of CeV2Si2C were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3327472, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_CeV2Si2C
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.06720642
_cell_length_b   4.06720642
_cell_length_c   5.44107620
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   CeV2Si2C
_chemical_formula_sum   'Ce1 V2 Si2 C1'
_cell_volume   90.00719677
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ce  Ce0  1  0.00000000  0.00000000  0.49999900  1.0
  V  V1  1  0.49999900  0.00000000  0.00000000  1.0
  V  V2  1  0.00000000  0.49999900  0.00000000  1.0
  Si  Si3  1  0.49999900  0.49999900  0.28015990  1.0
  Si  Si4  1  0.49999900  0.49999900  0.71984010  1.0
  C  C5  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
获取直接链接