DyScGa3Cu

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3328024 · 空间群: P3m1 (#156)

Materials Project API

基础信息

化学式

DyScGa3Cu

MP-ID

mp-3328024

元素数

位点数

密度

7.2357

g/cm³

体积

110.20

Å³

晶胞参数 a

4.2676

晶胞参数 b

4.2676

晶胞参数 c

6.9865

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P3m1

点群

晶体系统

Trigonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

能量属性

形成能/原子

-0.66328

eV/atom

能量/原子

-15.42252

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-15.4225

eV/atom

体积/原子

18.37

Å³

c/a 比

1.6371

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0001

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ga · 0.500

元素家族

PostTransition-Noble

溶质分数

0.500

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.2425

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.3298

J/mol·K

Ω 参数

0.6945

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

11.872%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2609

越小混合越稳定

VEC

5.500

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-14.280

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8962

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahhjcy

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3328024

参考引用

The crystal structure and related material properties of DyScGa3Cu were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3328024, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_DyScGa3Cu
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.26764347
_cell_length_b   4.26764286
_cell_length_c   6.98647692
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.99998961
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   DyScGa3Cu
_chemical_formula_sum   'Dy1 Sc1 Ga3 Cu1'
_cell_volume   110.19581569
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Dy  Dy0  1  0.33333300  0.66666700  0.25850582  1.0
  Sc  Sc1  1  0.33333300  0.66666700  0.72740506  1.0
  Ga  Ga2  1  0.66666700  0.33333300  0.49330232  1.0
  Ga  Ga3  1  0.66666700  0.33333300  0.03083479  1.0
  Ga  Ga4  1  0.00000000  0.00000000  0.93545788  1.0
  Cu  Cu5  1  0.00000000  0.00000000  0.55449613  1.0

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