Th3(GaRh2)2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3331662 · 空间群: Amm2 (#38)

Materials Project API

基础信息

化学式

Th3(GaRh2)2

MP-ID

mp-3331662

元素数

位点数

密度

11.4524

g/cm³

体积

180.84

Å³

晶胞参数 a

7.1470

晶胞参数 b

7.1470

晶胞参数 c

3.8915

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

114.53

空间群

Amm2

点群

mm2

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.96283

eV/atom

能量/原子

-38.72464

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-38.7246

eV/atom

体积/原子

20.09

Å³

c/a 比

0.5445

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0005

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Rh · 0.444

元素家族

4d-TM

溶质分数

0.556

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0609

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

8.8200

J/mol·K

Ω 参数

6.0947

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

14.397%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.4282

越小混合越稳定

VEC

5.333

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-2.556

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9656

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahhomw

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3331662

参考引用

The crystal structure and related material properties of Th3(GaRh2)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3331662, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Th3(GaRh2)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.14699644
_cell_length_b   7.14700326
_cell_length_c   3.89151367
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   114.53076690
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th3(GaRh2)2
_chemical_formula_sum   'Th3 Ga2 Rh4'
_cell_volume   180.83507034
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.41172919  0.41173158  0.50000000  1.0
  Th  Th1  1  0.60895205  0.97841384  0.50000000  1.0
  Th  Th2  1  0.97841038  0.60894257  0.50000000  1.0
  Ga  Ga3  1  0.25195031  0.99545838  0.00000000  1.0
  Ga  Ga4  1  0.99545699  0.25195034  0.00000000  1.0
  Rh  Rh5  1  0.64280981  0.30333020  0.00000000  1.0
  Rh  Rh6  1  0.30332422  0.64279022  0.00000000  1.0
  Rh  Rh7  1  0.04318848  0.04320111  0.50000000  1.0
  Rh  Rh8  1  0.76417958  0.76418276  0.00000000  1.0

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