TbTh2(GaNi)3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3333121 · 空间群: Amm2 (#38)

Materials Project API

基础信息

化学式

TbTh2(GaNi)3

MP-ID

mp-3333121

元素数

位点数

密度

9.9903

g/cm³

体积

167.59

Å³

晶胞参数 a

7.0560

晶胞参数 b

6.9958

晶胞参数 c

3.9092

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

119.72

空间群

Amm2

点群

mm2

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.65595

eV/atom

能量/原子

-28.26155

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-28.2616

eV/atom

体积/原子

18.62

Å³

c/a 比

0.5540

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0011

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000010

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ga · 0.333

元素家族

PostTransition-Noble

溶质分数

0.667

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.3108

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.8979

J/mol·K

Ω 参数

1.6281

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

16.116%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3031

越小混合越稳定

VEC

5.778

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-8.889

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9455

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahhqqz

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3333121

参考引用

The crystal structure and related material properties of TbTh2(GaNi)3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3333121, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_TbTh2(GaNi)3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.05604321
_cell_length_b   6.99578263
_cell_length_c   3.90917237
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.71789264
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   TbTh2(GaNi)3
_chemical_formula_sum   'Tb1 Th2 Ga3 Ni3'
_cell_volume   167.58708774
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tb  Tb0  1  1.00000000  0.41482238  0.50000000  1.0
  Th  Th1  1  0.57964667  0.57957089  0.50000000  1.0
  Th  Th2  1  0.42035333  0.99992422  0.50000000  1.0
  Ga  Ga3  1  0.00000000  0.75720347  0.00000000  1.0
  Ga  Ga4  1  0.22639593  0.23519380  0.00000000  1.0
  Ga  Ga5  1  0.77360407  0.00879787  0.00000000  1.0
  Ni  Ni6  1  0.34221282  0.67541851  0.00000000  1.0
  Ni  Ni7  1  0.65778718  0.33320469  0.00000000  1.0
  Ni  Ni8  1  1.00000000  0.99586416  0.50000000  1.0

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