Ga2(TcMo)3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3334057 · 空间群: R32 (#155)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ga2(TcMo)3

MP-ID

mp-3334057

元素数

位点数

密度

10.2607

g/cm³

体积

116.73

Å³

晶胞参数 a

4.8872

晶胞参数 b

4.8872

晶胞参数 c

4.8872

α 角

89.97

β 角

90.03

γ 角

90.03

空间群

R32

点群

晶体系统

Trigonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.20242

eV/atom

能量/原子

-22.57686

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-22.5769

eV/atom

体积/原子

14.59

Å³

c/a 比

1.0000

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0024

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000020

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Tc · 0.375

元素家族

4d-TM

溶质分数

0.625

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0822

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

8.9974

J/mol·K

Ω 参数

3.7234

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

1.419%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.1475

越小混合越稳定

VEC

4.875

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

5.009

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9851

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahhsaz

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3334057

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ga2(TcMo)3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3334057, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ga2(TcMo)3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.88714663
_cell_length_b   4.88714612
_cell_length_c   4.88714621
_cell_angle_alpha   89.96724648
_cell_angle_beta   90.03275402
_cell_angle_gamma   90.03276344
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ga2(TcMo)3
_chemical_formula_sum   'Ga2 Tc3 Mo3'
_cell_volume   116.72551878
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ga  Ga0  1  0.50603322  0.49396678  0.49396678  1.0
  Ga  Ga1  1  0.99396678  0.00603322  0.00603322  1.0
  Tc  Tc2  1  0.49584719  0.25000000  0.99584719  1.0
  Tc  Tc3  1  0.75000000  0.99584719  0.50415281  1.0
  Tc  Tc4  1  0.00415281  0.50415281  0.25000000  1.0
  Mo  Mo5  1  0.49758378  0.75000000  0.99758378  1.0
  Mo  Mo6  1  0.25000000  0.99758378  0.50241622  1.0
  Mo  Mo7  1  0.00241622  0.50241622  0.75000000  1.0

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