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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

TiV2Si2Tc3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3334129 · 空间群: C2 (#5)

基础信息

化学式
TiV2Si2Tc3
MP-ID
mp-3334129
元素数
4
位点数
8
密度
7.7706
g/cm³
体积
106.83
ų
晶胞参数 a
4.7472
Å
晶胞参数 b
4.7472
Å
晶胞参数 c
4.7406
Å
α 角
90.17
°
β 角
89.83
°
γ 角
90.16
°
空间群
C2
点群
2
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.67082
eV/atom
能量/原子
-17.74062
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-17.7406
eV/atom
体积/原子
13.35
ų
c/a 比
0.9986

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0014
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tc · 0.375
元素家族
4d-TM
溶质分数
0.625
间隙分数
0.250
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3209
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.9819
J/mol·K
Ω 参数
1.1505
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
7.148%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1475
越小混合越稳定
VEC
4.625
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-20.250
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9528
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3334129
参考引用

The crystal structure and related material properties of TiV2Si2Tc3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3334129, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_TiV2Si2Tc3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.74718404
_cell_length_b   4.74718412
_cell_length_c   4.74057944
_cell_angle_alpha   90.16771550
_cell_angle_beta   89.83228320
_cell_angle_gamma   90.16420696
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   TiV2Si2Tc3
_chemical_formula_sum   'Ti1 V2 Si2 Tc3'
_cell_volume   106.83119335
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ti  Ti0  1  0.00052570  0.50052570  0.25000000  1.0
  V  V1  1  0.49858543  0.75235012  0.00168815  1.0
  V  V2  1  0.25235012  0.99858543  0.49831185  1.0
  Si  Si3  1  0.49787265  0.50156742  0.50247620  1.0
  Si  Si4  1  0.00156742  0.99787265  0.99752380  1.0
  Tc  Tc5  1  0.00209679  0.50209679  0.75000000  1.0
  Tc  Tc6  1  0.49714225  0.24985865  0.00284028  1.0
  Tc  Tc7  1  0.74985865  0.99714225  0.49715972  1.0
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