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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Th2Si2Os2C

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3335145 · 空间群: C2/m (#12)

基础信息

化学式
Th2Si2Os2C
MP-ID
mp-3335145
元素数
4
位点数
7
密度
11.8652
g/cm³
体积
127.73
ų
晶胞参数 a
4.1296
Å
晶胞参数 b
5.9898
Å
晶胞参数 c
5.9671
Å
α 角
73.58
°
β 角
69.76
°
γ 角
69.84
°
空间群
C2/m
点群
2/m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.73549
eV/atom
能量/原子
-40.79489
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-40.7949
eV/atom
体积/原子
18.25
ų
c/a 比
1.4450

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0106
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000080
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Th · 0.286
元素家族
Actinide
溶质分数
0.714
间隙分数
0.429
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3518
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
11.2387
J/mol·K
Ω 参数
4.5107
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
25.242%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.4346
越小混合越稳定
VEC
4.571
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-6.421
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9751
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3335145
参考引用

The crystal structure and related material properties of Th2Si2Os2C were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3335145, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Th2Si2Os2C
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.12955799
_cell_length_b   5.98983026
_cell_length_c   5.96706166
_cell_angle_alpha   73.57966826
_cell_angle_beta   69.75535273
_cell_angle_gamma   69.83565132
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th2Si2Os2C
_chemical_formula_sum   'Th2 Si2 Os2 C1'
_cell_volume   127.73475927
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.43430299  0.82500487  0.30638815  1.0
  Th  Th1  1  0.56569701  0.17499513  0.69361185  1.0
  Si  Si2  1  0.83442727  0.62173036  0.70941609  1.0
  Si  Si3  1  0.16557273  0.37826964  0.29058391  1.0
  Os  Os4  1  0.80049177  0.31385285  0.08516362  1.0
  Os  Os5  1  0.19950823  0.68614715  0.91483638  1.0
  C  C6  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
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