Ga2(SiTc)3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3335273 · 空间群: P4mm (#99)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ga2(SiTc)3

MP-ID

mp-3335273

元素数

位点数

密度

8.0385

g/cm³

体积

106.94

Å³

晶胞参数 a

3.1248

晶胞参数 b

3.1248

晶胞参数 c

10.9527

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

90.00

空间群

P4mm

点群

4mm

晶体系统

Tetragonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.46527

eV/atom

能量/原子

-16.35287

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-16.3529

eV/atom

体积/原子

13.37

Å³

c/a 比

3.5051

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0043

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000040

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Si · 0.375

元素家族

Metalloid-Nonmetal

溶质分数

0.625

间隙分数

0.375

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0822

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

8.9974

J/mol·K

Ω 参数

2.8795

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

6.795%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.0390

越小混合越稳定

VEC

4.125

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-5.061

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9851

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahhtvt

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3335273

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ga2(SiTc)3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3335273, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ga2(SiTc)3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   3.12476147
_cell_length_b   3.12476147
_cell_length_c   10.95266278
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ga2(SiTc)3
_chemical_formula_sum   'Ga2 Si3 Tc3'
_cell_volume   106.94326993
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ga  Ga0  1  0.50000000  0.50000000  0.99740199  1.0
  Ga  Ga1  1  0.00000000  0.00000000  0.37986022  1.0
  Si  Si2  1  0.50000000  0.50000000  0.24626364  1.0
  Si  Si3  1  0.00000000  0.00000000  0.62270201  1.0
  Si  Si4  1  0.50000000  0.50000000  0.74719939  1.0
  Tc  Tc5  1  0.00000000  0.00000000  0.14073978  1.0
  Tc  Tc6  1  0.50000000  0.50000000  0.51402091  1.0
  Tc  Tc7  1  0.00000000  0.00000000  0.85181106  1.0

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