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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Sc3GaSi2Tc3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3335755 · 空间群: P-6 (#174)

基础信息

化学式
Sc3GaSi2Tc3
MP-ID
mp-3335755
元素数
4
位点数
9
密度
6.3548
g/cm³
体积
144.96
ų
晶胞参数 a
7.0118
Å
晶胞参数 b
7.0118
Å
晶胞参数 c
3.4046
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.00
°
空间群
P-6
点群
-6
晶体系统
Hexagonal
Bravais 格子
hP
稳定性
Yes
堆积分数
0.7405

能量属性

形成能/原子
-0.67626
eV/atom
能量/原子
-16.35179
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-16.3518
eV/atom
体积/原子
16.11
ų
c/a 比
0.4856

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.4007
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.002760
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Sc · 0.333
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.667
间隙分数
0.222
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3108
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.8979
J/mol·K
Ω 参数
1.1538
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
12.164%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2490
越小混合越稳定
VEC
3.889
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-17.221
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9455
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3335755
参考引用

The crystal structure and related material properties of Sc3GaSi2Tc3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3335755, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Sc3GaSi2Tc3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.01174847
_cell_length_b   7.01174969
_cell_length_c   3.40461587
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.99999427
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Sc3GaSi2Tc3
_chemical_formula_sum   'Sc3 Ga1 Si2 Tc3'
_cell_volume   144.96111066
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Sc  Sc0  1  0.38164189  0.39064783  0.50000000  1.0
  Sc  Sc1  1  0.60935217  0.99099406  0.50000000  1.0
  Sc  Sc2  1  0.00900594  0.61835811  0.50000000  1.0
  Ga  Ga3  1  0.66666700  0.33333300  0.00000000  1.0
  Si  Si4  1  0.33333300  0.66666700  0.00000000  1.0
  Si  Si5  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Tc  Tc6  1  0.74062362  0.74389674  0.00000000  1.0
  Tc  Tc7  1  0.25610326  0.99672588  0.00000000  1.0
  Tc  Tc8  1  0.00327412  0.25937638  0.00000000  1.0
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