Th4GaSe3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3337960 · 空间群: I4/mmm (#139)

Materials Project API

基础信息

化学式

Th4GaSe3

MP-ID

mp-3337960

元素数

位点数

密度

9.5078

g/cm³

体积

215.65

Å³

晶胞参数 a

7.3598

晶胞参数 b

7.3598

晶胞参数 c

7.3598

α 角

132.02

β 角

132.02

γ 角

70.19

空间群

I4/mmm

点群

4/mmm

晶体系统

Tetragonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
25.73	3.4622	65.4	(1,1,-2)
29.67	3.0108	50.8	(2,2,-2)
29.86	2.9922	100.0	(1,-1,1)
42.60	2.1224	57.8	(3,1,-3)
42.60	2.1224	19.3	(1,3,-1)
42.74	2.1158	38.2	(2,-2,0)
50.31	1.8135	5.7	(3,3,-4)
50.31	1.8135	5.7	(2,4,-3)
50.56	1.8054	2.8	(0,2,-3)
50.56	1.8054	14.2	(3,-1,-2)
50.56	1.8054	5.7	(1,-3,0)
52.89	1.7311	20.6	(2,2,-4)
52.89	1.7311	20.6	(0,4,-2)
61.61	1.5054	6.5	(4,4,-4)
62.03	1.4961	6.4	(2,-2,2)
62.03	1.4961	6.4	(2,-2,-2)
68.10	1.3769	1.2	(2,4,-5)
68.10	1.3769	4.8	(4,2,-5)
68.10	1.3769	2.4	(4,2,-1)
68.10	1.3769	1.2	(2,4,-1)
68.30	1.3734	2.4	(1,1,-4)
68.30	1.3734	2.4	(2,-4,1)
69.96	1.3448	9.0	(5,3,-5)
69.96	1.3448	9.0	(5,3,-3)

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能量属性

形成能/原子

-1.47074

eV/atom

能量/原子

-45.00556

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-45.0056

eV/atom

体积/原子

26.96

Å³

c/a 比

1.0000

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0014

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000010

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Th · 0.500

元素家族

Actinide

溶质分数

0.500

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

0.9743

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

8.1005

J/mol·K

Ω 参数

0.0000

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

20.412%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.5787

越小混合越稳定

VEC

2.875

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

0.000

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8869

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahhxvc

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3337960

参考引用

The crystal structure and related material properties of Th4GaSe3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3337960, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Th4GaSe3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.35979227
_cell_length_b   7.35979167
_cell_length_c   7.35979273
_cell_angle_alpha   132.02251265
_cell_angle_beta   132.02250576
_cell_angle_gamma   70.19348309
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th4GaSe3
_chemical_formula_sum   'Th4 Ga1 Se3'
_cell_volume   215.65030782
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.24894117  0.24894117  0.00000000  1.0
  Th  Th1  1  0.75105883  0.75105883  0.00000000  1.0
  Th  Th2  1  0.50000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Th  Th3  1  0.00000000  0.50000000  0.50000000  1.0
  Ga  Ga4  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Se  Se5  1  0.75000000  0.25000000  0.50000000  1.0
  Se  Se6  1  0.25000000  0.75000000  0.50000000  1.0
  Se  Se7  1  0.50000000  0.50000000  0.00000000  1.0

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