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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

ThCuGeH

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3338219 · 空间群: P-3m1 (#164)

基础信息

化学式
ThCuGeH
MP-ID
mp-3338219
元素数
4
位点数
8
密度
9.6158
g/cm³
体积
127.52
ų
晶胞参数 a
4.1600
Å
晶胞参数 b
4.1601
Å
晶胞参数 c
8.5088
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
60.00
°
空间群
P-3m1
点群
-3m
晶体系统
Trigonal
Bravais 格子
hP
稳定性
Yes
堆积分数
0.7405

能量属性

形成能/原子
-0.69282
eV/atom
能量/原子
-26.10511
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-26.1051
eV/atom
体积/原子
15.94
ų
c/a 比
2.0454

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0001
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Th · 0.250
元素家族
Actinide
溶质分数
0.750
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3863
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
11.5257
J/mol·K
Ω 参数
4.5127
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
49.004%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3366
越小混合越稳定
VEC
4.500
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-3.000
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
1.0000
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3338219
参考引用

The crystal structure and related material properties of ThCuGeH were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3338219, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_ThCuGeH
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.16003994
_cell_length_b   4.16005181
_cell_length_c   8.50876771
_cell_angle_alpha   89.99999759
_cell_angle_beta   90.00003186
_cell_angle_gamma   60.00015594
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   ThCuGeH
_chemical_formula_sum   'Th2 Cu2 Ge2 H2'
_cell_volume   127.52467390
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Th  Th1  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Cu  Cu2  1  0.33333100  0.33333400  0.76118717  1.0
  Cu  Cu3  1  0.66666900  0.66666600  0.23881283  1.0
  Ge  Ge4  1  0.33333400  0.33333300  0.27731136  1.0
  Ge  Ge5  1  0.66666600  0.66666700  0.72268864  1.0
  H  H6  1  0.33333700  0.33333200  0.95906977  1.0
  H  H7  1  0.66666300  0.66666800  0.04093023  1.0
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