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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Th2Ga6CuPd

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3341771 · 空间群: Amm2 (#38)

基础信息

化学式
Th2Ga6CuPd
MP-ID
mp-3341771
元素数
4
位点数
10
密度
9.2968
g/cm³
体积
187.97
ų
晶胞参数 a
5.9786
Å
晶胞参数 b
5.9786
Å
晶胞参数 c
6.0418
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
119.49
°
空间群
Amm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.63073
eV/atom
能量/原子
-25.57217
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-25.5722
eV/atom
体积/原子
18.80
ų
c/a 比
1.0106

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0001
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.600
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.400
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0889
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.0531
J/mol·K
Ω 参数
1.0434
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
12.813%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2552
越小混合越稳定
VEC
4.300
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-8.011
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7855
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3341771
参考引用

The crystal structure and related material properties of Th2Ga6CuPd were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3341771, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Th2Ga6CuPd
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   5.97859349
_cell_length_b   5.97859260
_cell_length_c   6.04180981
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.49417049
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th2Ga6CuPd
_chemical_formula_sum   'Th2 Ga6 Cu1 Pd1'
_cell_volume   187.96924980
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.24945835  0.75054165  0.75000000  1.0
  Th  Th1  1  0.75759371  0.24240629  0.25000000  1.0
  Ga  Ga2  1  0.64797682  0.35202318  0.75000000  1.0
  Ga  Ga3  1  0.35585870  0.64414130  0.25000000  1.0
  Ga  Ga4  1  0.74460135  0.74770077  0.99245344  1.0
  Ga  Ga5  1  0.74460135  0.74770077  0.50754656  1.0
  Ga  Ga6  1  0.25229923  0.25539865  0.99245344  1.0
  Ga  Ga7  1  0.25229923  0.25539865  0.50754656  1.0
  Cu  Cu8  1  0.87637594  0.12362406  0.75000000  1.0
  Pd  Pd9  1  0.11893332  0.88106668  0.25000000  1.0
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