导航

HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Y4GaTc6Os

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3342625 · 空间群: P-3m1 (#164)

基础信息

化学式
Y4GaTc6Os
MP-ID
mp-3342625
元素数
4
位点数
12
密度
9.1256
g/cm³
体积
219.01
ų
晶胞参数 a
5.2749
Å
晶胞参数 b
5.2749
Å
晶胞参数 c
9.0889
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.00
°
空间群
P-3m1
点群
-3m
晶体系统
Trigonal
Bravais 格子
hP
稳定性
Yes
堆积分数
0.7405

能量属性

形成能/原子
-0.30890
eV/atom
能量/原子
-25.43143
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-25.4314
eV/atom
体积/原子
18.25
ų
c/a 比
1.7231

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0014
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tc · 0.500
元素家族
4d-TM
溶质分数
0.500
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1269
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.3693
J/mol·K
Ω 参数
2.6553
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
14.142%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3443
越小混合越稳定
VEC
4.417
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-7.464
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8129
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3342625
参考引用

The crystal structure and related material properties of Y4GaTc6Os were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3342625, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Y4GaTc6Os
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   5.27484627
_cell_length_b   5.27484704
_cell_length_c   9.08885957
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.00000135
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Y4GaTc6Os
_chemical_formula_sum   'Y4 Ga1 Tc6 Os1'
_cell_volume   219.00785725
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Y  Y0  1  0.33333300  0.66666700  0.43265645  1.0
  Y  Y1  1  0.66666700  0.33333300  0.56734355  1.0
  Y  Y2  1  0.66666700  0.33333300  0.93603571  1.0
  Y  Y3  1  0.33333300  0.66666700  0.06396429  1.0
  Ga  Ga4  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Tc  Tc5  1  0.82969204  0.17030796  0.24997310  1.0
  Tc  Tc6  1  0.82969204  0.65938609  0.24997310  1.0
  Tc  Tc7  1  0.34061391  0.17030796  0.24997310  1.0
  Tc  Tc8  1  0.17030796  0.82969204  0.75002690  1.0
  Tc  Tc9  1  0.17030796  0.34061391  0.75002690  1.0
  Tc  Tc10  1  0.65938609  0.82969204  0.75002690  1.0
  Os  Os11  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
获取直接链接