导航

HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ho4Ga2TcOs5

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3343096 · 空间群: Amm2 (#38)

基础信息

化学式
Ho4Ga2TcOs5
MP-ID
mp-3343096
元素数
4
位点数
12
密度
14.2529
g/cm³
体积
215.34
ų
晶胞参数 a
5.3129
Å
晶胞参数 b
5.3129
Å
晶胞参数 c
8.7347
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
119.15
°
空间群
Amm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.50736
eV/atom
能量/原子
-37.61584
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-37.6158
eV/atom
体积/原子
17.94
ų
c/a 比
1.6441

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0015
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Os · 0.417
元素家族
5d-TM
溶质分数
0.583
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2367
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.2818
J/mol·K
Ω 参数
73.2032
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
12.712%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.4191
越小混合越稳定
VEC
7.917
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
0.310
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8921
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3343096
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho4Ga2TcOs5 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3343096, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho4Ga2TcOs5
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   5.31293317
_cell_length_b   5.31293263
_cell_length_c   8.73469798
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.14545661
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho4Ga2TcOs5
_chemical_formula_sum   'Ho4 Ga2 Tc1 Os5'
_cell_volume   215.33907015
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.32778499  0.67221501  0.44270333  1.0
  Ho  Ho1  1  0.66212105  0.33787895  0.56974550  1.0
  Ho  Ho2  1  0.66212105  0.33787895  0.93025450  1.0
  Ho  Ho3  1  0.32778499  0.67221501  0.05729667  1.0
  Ga  Ga4  1  0.83875403  0.65285918  0.25000000  1.0
  Ga  Ga5  1  0.34714082  0.16124597  0.25000000  1.0
  Tc  Tc6  1  0.84086844  0.15913156  0.25000000  1.0
  Os  Os7  1  0.98835198  0.01164802  0.49728491  1.0
  Os  Os8  1  0.98835198  0.01164802  0.00271509  1.0
  Os  Os9  1  0.18253666  0.81746334  0.75000000  1.0
  Os  Os10  1  0.16286988  0.32868586  0.75000000  1.0
  Os  Os11  1  0.67131414  0.83713012  0.75000000  1.0
获取直接链接