AcTh(BOs)4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3343531 · 空间群: F222 (#22)

Materials Project API

基础信息

化学式

AcTh(BOs)4

MP-ID

mp-3343531

元素数

位点数

密度

13.4561

g/cm³

体积

155.89

Å³

晶胞参数 a

6.9166

晶胞参数 b

6.1072

晶胞参数 c

5.6601

α 角

71.89

β 角

57.06

γ 角

51.06

空间群

F222

点群

222

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.52153

eV/atom

能量/原子

-38.86544

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-38.8654

eV/atom

体积/原子

15.59

Å³

c/a 比

0.8183

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0003

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

B · 0.400

元素家族

Metalloid-Nonmetal

溶质分数

0.600

间隙分数

0.400

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.1936

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.9232

J/mol·K

Ω 参数

3.7803

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

28.455%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3776

越小混合越稳定

VEC

4.800

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-6.840

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8610

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahigbj

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3343531

参考引用

The crystal structure and related material properties of AcTh(BOs)4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3343531, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_AcTh(BOs)4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.91662520
_cell_length_b   6.10724001
_cell_length_c   5.66010683
_cell_angle_alpha   71.88537245
_cell_angle_beta   57.05742303
_cell_angle_gamma   51.05720700
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   AcTh(BOs)4
_chemical_formula_sum   'Ac1 Th1 B4 Os4'
_cell_volume   155.88501040
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ac  Ac0  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Th  Th1  1  0.25000000  0.25000000  0.25000000  1.0
  B  B2  1  0.32029163  0.67970837  0.32029163  1.0
  B  B3  1  0.67970837  0.32029163  0.67970837  1.0
  B  B4  1  0.57085860  0.92914140  0.57085860  1.0
  B  B5  1  0.92914140  0.57085860  0.92914140  1.0
  Os  Os6  1  0.63665583  0.63665583  0.36334417  1.0
  Os  Os7  1  0.36334417  0.36334417  0.63665583  1.0
  Os  Os8  1  0.61405454  0.61405454  0.88594546  1.0
  Os  Os9  1  0.88594546  0.88594546  0.61405454  1.0

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