Ac4HoMgSi4
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3343569 · 空间群: P4/m (#83)
基础信息
化学式
Ac4HoMgSi4
MP-ID
mp-3343569
元素数
4
位点数
10
密度
6.9865
g/cm³
体积
287.49
ų
晶胞参数 a
7.8156
Å
晶胞参数 b
7.8156
Å
晶胞参数 c
4.7066
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
P4/m
点群
4/m
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tP
稳定性
Yes
堆积分数
-
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 11.32 | 7.8156 | 6.4 | (1,0,0) |
| 18.85 | 4.7066 | 30.1 | (0,0,1) |
| 22.05 | 4.0319 | 8.4 | (1,0,1) |
| 22.76 | 3.9078 | 15.4 | (2,0,0) |
| 24.85 | 3.5832 | 14.9 | (1,1,1) |
| 25.48 | 3.4952 | 58.9 | (2,1,0) |
| 29.71 | 3.0066 | 76.8 | (2,0,1) |
| 31.89 | 2.8061 | 100.0 | (2,1,1) |
| 32.40 | 2.7632 | 15.5 | (2,2,0) |
| 34.43 | 2.6052 | 1.5 | (3,0,0) |
| 36.35 | 2.4715 | 26.7 | (3,1,0) |
| 37.75 | 2.3829 | 2.0 | (2,2,1) |
| 38.25 | 2.3533 | 23.0 | (0,0,2) |
| 41.26 | 2.1882 | 2.5 | (3,1,1) |
| 41.67 | 2.1676 | 4.2 | (3,2,0) |
| 44.97 | 2.0160 | 5.5 | (2,0,2) |
| 46.10 | 1.9689 | 4.6 | (3,2,1) |
| 46.52 | 1.9521 | 24.7 | (2,1,2) |
| 48.00 | 1.8956 | 22.5 | (4,1,0) |
| 49.48 | 1.8421 | 6.6 | (3,3,0) |
| 50.58 | 1.8046 | 1.6 | (4,0,1) |
| 50.97 | 1.7916 | 8.8 | (2,2,2) |
| 52.01 | 1.7583 | 33.1 | (4,1,1) |
| 52.35 | 1.7476 | 2.2 | (4,2,0) |
能量属性
形成能/原子
-0.63354
eV/atom
能量/原子
-35.30310
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-35.3031
eV/atom
体积/原子
28.75
ų
c/a 比
0.6022
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
Yes
总磁矩
0.5691
μB
磁有序
FM
磁性位点数
1
磁化强度/体积
0.001980
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Ac · 0.400
元素家族
Actinide
溶质分数
0.600
间隙分数
0.400
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1936
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
9.9232
J/mol·K
Ω 参数
4.5575
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
22.327%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3698
越小混合越稳定
VEC
3.700
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-3.200
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8610
固溶体倾向
0
相趋势
IM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3343569
参考引用
The crystal structure and related material properties of Ac4HoMgSi4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3343569, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ac4HoMgSi4
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 7.81554658
_cell_length_b 7.81554658
_cell_length_c 4.70658142
_cell_angle_alpha 90.00000000
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Ac4HoMgSi4
_chemical_formula_sum 'Ac4 Ho1 Mg1 Si4'
_cell_volume 287.49102255
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ac Ac0 1 0.67352092 0.18814138 0.50000000 1.0
Ac Ac1 1 0.32647908 0.81185862 0.50000000 1.0
Ac Ac2 1 0.18814138 0.32647908 0.50000000 1.0
Ac Ac3 1 0.81185862 0.67352092 0.50000000 1.0
Ho Ho4 1 0.00000000 0.00000000 0.00000000 1.0
Mg Mg5 1 0.50000000 0.50000000 0.00000000 1.0
Si Si6 1 0.10211307 0.61982241 0.00000000 1.0
Si Si7 1 0.89788693 0.38017759 0.00000000 1.0
Si Si8 1 0.61982241 0.89788693 0.00000000 1.0
Si Si9 1 0.38017759 0.10211307 0.00000000 1.0
