Th2InGaOs
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3343927 · 空间群: Pmc2_1 (#26)
基础信息
化学式
Th2InGaOs
MP-ID
mp-3343927
元素数
4
位点数
10
密度
11.4810
g/cm³
体积
242.65
ų
晶胞参数 a
7.7737
Å
晶胞参数 b
7.8708
Å
晶胞参数 c
3.9658
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pmc2_1
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oP
稳定性
Yes
堆积分数
-
能量属性
形成能/原子
-0.53538
eV/atom
能量/原子
-47.32680
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-47.3268
eV/atom
体积/原子
24.27
ų
c/a 比
0.5102
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0008
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Th · 0.400
元素家族
Actinide
溶质分数
0.600
间隙分数
0.000
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3322
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
11.0757
J/mol·K
Ω 参数
7.7192
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
12.848%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3424
越小混合越稳定
VEC
3.600
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
2.373
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9610
固溶体倾向
0
相趋势
IM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3343927
参考引用
The crystal structure and related material properties of Th2InGaOs were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3343927, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
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_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
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_cell_length_c 3.96582596
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_cell_angle_beta 90.00000000
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_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Th2InGaOs
_chemical_formula_sum 'Th4 In2 Ga2 Os2'
_cell_volume 242.65034481
_cell_formula_units_Z 2
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Th Th0 1 0.66813534 0.19757521 0.50000000 1.0
Th Th1 1 0.16813534 0.30242479 0.50000000 1.0
Th Th2 1 0.82442274 0.65419530 0.50000000 1.0
Th Th3 1 0.32442274 0.84580470 0.50000000 1.0
In In4 1 0.99204485 0.00054329 0.00000000 1.0
In In5 1 0.49204485 0.49945671 0.00000000 1.0
Ga Ga6 1 0.62780133 0.88395806 0.00000000 1.0
Ga Ga7 1 0.12780133 0.61604194 0.00000000 1.0
Os Os8 1 0.88759474 0.38628352 0.00000000 1.0
Os Os9 1 0.38759474 0.11371648 0.00000000 1.0
