HfZr5(GaN)2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3344229 · 空间群: Amm2 (#38)

Materials Project API

基础信息

化学式

HfZr5(GaN)2

MP-ID

mp-3344229

元素数

位点数

密度

7.8210

g/cm³

体积

170.29

Å³

晶胞参数 a

5.9674

晶胞参数 b

5.9674

晶胞参数 c

8.7950

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

147.06

空间群

Amm2

点群

mm2

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-1.20228

eV/atom

能量/原子

-21.20663

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-21.2066

eV/atom

体积/原子

17.03

Å³

c/a 比

1.4739

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0060

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000040

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Zr · 0.500

元素家族

4d-TM

溶质分数

0.500

间隙分数

0.200

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.2206

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.1481

J/mol·K

Ω 参数

0.1685

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

23.850%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.6647

越小混合越稳定

VEC

4.000

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-83.594

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8805

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahihcf

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3344229

参考引用

The crystal structure and related material properties of HfZr5(GaN)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3344229, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_HfZr5(GaN)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   5.96736478
_cell_length_b   5.96736421
_cell_length_c   8.79503443
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   147.06107334
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   HfZr5(GaN)2
_chemical_formula_sum   'Hf1 Zr5 Ga2 N2'
_cell_volume   170.29337846
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Hf  Hf0  1  0.94944997  0.05054903  0.75000100  1.0
  Zr  Zr1  1  0.37266718  0.62733082  0.04755861  1.0
  Zr  Zr2  1  0.05055775  0.94944125  0.25000100  1.0
  Zr  Zr3  1  0.37266718  0.62733082  0.45244239  1.0
  Zr  Zr4  1  0.62681995  0.37317805  0.54946924  1.0
  Zr  Zr5  1  0.62681995  0.37317805  0.95053176  1.0
  Ga  Ga6  1  0.74587123  0.25412777  0.25000100  1.0
  Ga  Ga7  1  0.25626074  0.74373826  0.75000100  1.0
  N  N8  1  0.99944003  0.00055997  0.99670057  1.0
  N  N9  1  0.99944003  0.00055997  0.50329943  1.0

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