Ta4V4GaSi3
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3344639 · 空间群: Pm (#6)
基础信息
化学式
Ta4V4GaSi3
MP-ID
mp-3344639
元素数
4
位点数
12
密度
10.1904
g/cm³
体积
176.24
ų
晶胞参数 a
3.3620
Å
晶胞参数 b
6.5942
Å
晶胞参数 c
7.9495
Å
α 角
89.87
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mP
稳定性
Yes
堆积分数
-
能量属性
形成能/原子
-0.58551
eV/atom
能量/原子
-24.62632
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-24.6263
eV/atom
体积/原子
14.69
ų
c/a 比
2.3645
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0011
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Ta · 0.333
元素家族
5d-TM
溶质分数
0.667
间隙分数
0.250
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2861
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
10.6923
J/mol·K
Ω 参数
0.7445
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
8.196%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1582
越小混合越稳定
VEC
4.583
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-32.620
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9277
固溶体倾向
0
相趋势
AM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3344639
参考引用
The crystal structure and related material properties of Ta4V4GaSi3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3344639, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ta4V4GaSi3
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 3.36198434
_cell_length_b 6.59421170
_cell_length_c 7.94950451
_cell_angle_alpha 89.86954659
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_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Ta4V4GaSi3
_chemical_formula_sum 'Ta4 V4 Ga1 Si3'
_cell_volume 176.23716845
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ta Ta0 1 0.25000000 0.04669502 0.83148460 1.0
Ta Ta1 1 0.25000000 0.54821250 0.67105149 1.0
Ta Ta2 1 0.75000000 0.95675720 0.16147379 1.0
Ta Ta3 1 0.75000000 0.44221986 0.33223552 1.0
V V4 1 0.25000000 0.13241574 0.43965446 1.0
V V5 1 0.25000000 0.62713561 0.05879537 1.0
V V6 1 0.75000000 0.87517681 0.56672177 1.0
V V7 1 0.75000000 0.37155597 0.93807297 1.0
Ga Ga8 1 0.25000000 0.75135939 0.36174592 1.0
Si Si9 1 0.25000000 0.25237515 0.13706105 1.0
Si Si10 1 0.75000000 0.24900891 0.63878269 1.0
Si Si11 1 0.75000000 0.74708783 0.86292337 1.0