CeTh(VSi3)2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3345361 · 空间群: P-6m2 (#187)

Materials Project API

基础信息

化学式

CeTh(VSi3)2

MP-ID

mp-3345361

元素数

位点数

密度

6.1915

g/cm³

体积

172.33

Å³

晶胞参数 a

5.9860

晶胞参数 b

5.9860

晶胞参数 c

5.5534

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P-6m2

点群

-6m2

晶体系统

Hexagonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

能量属性

形成能/原子

-0.61991

eV/atom

能量/原子

-19.13367

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-19.1337

eV/atom

体积/原子

17.23

Å³

c/a 比

0.9277

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0013

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000010

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Si · 0.600

元素家族

Metalloid-Nonmetal

溶质分数

0.400

间隙分数

0.600

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0889

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.0531

J/mol·K

Ω 参数

0.5361

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

19.022%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2730

越小混合越稳定

VEC

3.900

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-29.841

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.7855

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahiitt

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3345361

参考引用

The crystal structure and related material properties of CeTh(VSi3)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3345361, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_CeTh(VSi3)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   5.98599329
_cell_length_b   5.98599329
_cell_length_c   5.55336804
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.99999455
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   CeTh(VSi3)2
_chemical_formula_sum   'Ce1 Th1 V2 Si6'
_cell_volume   172.32947442
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ce  Ce0  1  0.33333400  0.66666700  0.75000000  1.0
  Th  Th1  1  0.66666600  0.33333400  0.25000000  1.0
  V  V2  1  0.00000000  0.00000000  0.00201907  1.0
  V  V3  1  0.00000000  0.00000000  0.49798093  1.0
  Si  Si4  1  0.19969479  0.39938958  0.25000000  1.0
  Si  Si5  1  0.19969479  0.80030521  0.25000000  1.0
  Si  Si6  1  0.60061042  0.80030521  0.25000000  1.0
  Si  Si7  1  0.39660497  0.19830198  0.75000000  1.0
  Si  Si8  1  0.80169602  0.19830198  0.75000000  1.0
  Si  Si9  1  0.80169702  0.60339503  0.75000000  1.0

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